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SUM110P08-11L-E3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
1919 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 80 V 110A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SUM110P08-11L-E3
Panoramica del prodotto
13006245
Numero di Parte
SUM110P08-11L-E3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SUM110P08-11L-E3
Descrizione
MOSFET P-CH 80V 110A TO263Inventario
1919 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 80 V 110A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SUM110P08-11L-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
10850 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
13.6W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
SUM110
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
SUM110P08-11L-E3-DG
Reviews
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET P-Channel Vishay SUM110P08-11L-E3?
Il SUM110P08-11L-E3 è un MOSFET P-Channel con una tensione drain-source di 80V, una corrente di drain continua di 110A e una resistenza Rds On bassa di 11,2mΩ. È progettato per commutazioni di potenza ad alta efficienza, con una dissipazione di potenza massima di 13,6W a temperatura ambiente, e presenta un package surface-mount TO-263.
Per quali applicazioni è adatto questo MOSFET P-Channel della serie TrenchFET di Vishay?
Questo MOSFET è ideale per gestione dell'energia, commutazione di carichi, controllo motori e altre applicazioni di commutazione ad alta corrente che richiedono dispositivi affidabili ad alte prestazioni operanti fino a 175°C. La sua elevata capacità di corrente e la bassa resistenza on lo rendono adatto all'uso in automotive, industrie e elettronica di consumo.
Il Vishay SUM110P08-11L-E3 è compatibile con le schede di circuito standard e quale tipo di montaggio utilizza?
Sì, questo MOSFET utilizza un package surface-mount TO-263 (D2PAK), compatibile con le schede PCB di montaggio superficiale standard. È ideale per assemblaggi compatti e layout di PCB ad alta densità.
Quali sono i vantaggi di utilizzare questo MOSFET con Rds On basso e elevata capacità di corrente?
Un Rds On basso riduce le perdite di potenza e la generazione di calore, migliorando l'efficienza e riducendo le esigenze di raffreddamento. La sua elevata capacità di corrente gli permette di gestire carichi di potenza impegnativi, rendendolo una scelta affidabile per applicazioni di commutazione ad alta potenza.
Come posso acquistare e qual è la disponibilità di questo MOSFET Vishay?
Il Vishay SUM110P08-11L-E3 è disponibile in confezioni tape and reel, con oltre 2.370 unità a magazzino, assicurando una disponibilità rapida per progetti in grandi quantità o con consegna immediata. È possibile acquistarlo direttamente da distributori autorizzati o fornitori di componenti elettronici.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SUM110P08-11L-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SUM110P08-11L-E3 PCB symbols & footprints
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