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SQJ488EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
3673 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ488EP-T1_GE3
Panoramica del prodotto
13006422
Numero di Parte
SQJ488EP-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQJ488EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8Inventario
3673 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Quantità
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SQJ488EP-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 7.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
979 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SQJ488
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
SQJ488EP-T1_GE3-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche e specifiche del MOSFET Vishay SQJ488EP-T1\_GE3?
Il MOSFET Vishay SQJ488EP-T1\_GE3 è un N-Channel con una tensione nominale di 100V, una corrente continua di drain di 42A e una dissipazione di potenza di 83W. Offre un package PowerPAK® SO-8, alta capacità di corrente e un basso Rds On per prestazioni efficienti.
Questo MOSFET è adatto per applicazioni automobilistiche?
Sì, questo MOSFET è qualificato secondo lo standard AEC-Q101, rendendolo ideale per applicazioni automobilistiche che richiedono commutazione di potenza affidabile in condizioni difficili.
Qual è la gamma di temperatura di funzionamento del Vishay SQJ488EP-T1?
Il MOSFET può operare in un intervallo di temperatura da -55°C a 175°C, garantendo durabilità e prestazioni affidabili in ambienti diversi.
Quanto è compatibile questo MOSFET N-Channel con diverse tensioni di gate?
Questo MOSFET può essere pilotato con una Vgs massima di ±20V e richiede una tensione di pilotaggio di gate tra 4,5V e 10V per ottenere un Rds On ottimale, rendendolo compatibile con circuiti di pilotaggio di gate comuni.
Quali opzioni di confezionamento sono disponibili per questo MOSFET e come influenzano l'installazione?
Il MOSFET è disponibile nei formati Tape & Reel (TR) e Cut Tape (CT), entrambi adatti per l'assemblaggio automatizzato a superficie, assicurando un'installazione efficiente nella produzione elettronica.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SQJ488EP-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJ488EP-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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