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SUD50P04-08-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
25300 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SUD50P04-08-GE3
Panoramica del prodotto
12787178
Numero di Parte
SUD50P04-08-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SUD50P04-08-GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 50A TO252Inventario
25300 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SUD50P04-08-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.1mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
159 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5380 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
SUD50
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SUD50P04-08
Scheda Dati HTML
SUD50P04-08-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
SUD50P04-08-GE3TR
SUD50P04-08-GE3CT
SUD50P0408GE3
SUD50P04-08-GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SUD50P04-08-GE3 P-Channel?
Il SUD50P04-08-GE3 è un MOSFET in superficie con polarità P, con tensione di funzionamento di 40V e corrente continua di scarica di 50A. Presenta una bassa resistenza Rds On (8,1 mΩ a 22A e 10V), alta capacità di dissipazione di potenza ed è progettato per applicazioni di commutazione efficienti.
Il MOSFET Vishay SUD50P04-08-GE3 è adatto per circuiti di commutazione ad alta corrente?
Sì, questo MOSFET è valutato per un corrente di scarica continua fino a 50A e ha una bassa Rds On, rendendolo ideale per commutazione ad alta corrente e gestione dell’energia in vari dispositivi elettronici.
Quali sono i requisiti di compatibilità e tensione per il MOSFET Vishay SUD50P04-08-GE3?
Questo MOSFET P-Channel funziona con una tensione di drain-to-source fino a 40V e può essere pilotato con una tensione di gate tra 4,5V e 10V, garantendo compatibilità con circuiti di pilotaggio a livello standard.
Quali sono i vantaggi nell’utilizzo dei MOSFET della serie TrenchFET® di Vishay?
La serie TrenchFET® offre bassa resistenza Rds On, elevata efficienza e ottime prestazioni termiche, rendendoli ideali per applicazioni di commutazione di potenza dove è fondamentale minimizzare calore e perdite energetiche.
Come posso acquistare il MOSFET Vishay SUD50P04-08-GE3 e qual è la garanzia offerta?
Questo prodotto è disponibile in confezioni tape and reel con un ampio inventario. È un componente nuovo e originale, fornito con supporto di garanzia standard dal produttore. Per dettagli sulla garanzia e l’assistenza, si prega di contattare il fornitore.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SUD50P04-08-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SUD50P04-08-GE3 PCB symbols & footprints
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