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SUD45P03-09-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 45A TO252
15465 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 30 V 45A (Tc) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SUD45P03-09-GE3
Panoramica del prodotto
12786292
Numero di Parte
SUD45P03-09-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SUD45P03-09-GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 45A TO252Inventario
15465 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 30 V 45A (Tc) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SUD45P03-09-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
-
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2700 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
SUD45
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SUD45P03-09
Scheda Dati HTML
SUD45P03-09-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
SUD45P0309GE3
SUD45P03-09-GE3DKR
SUD45P03-09-GE3CT
SUD45P03-09-GE3TR
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET P-Channel Vishay SUD45P03-09-GE3?
Il Vishay SUD45P03-09-GE3 è un MOSFET P-Channel con una tensione di alimentazione di 30V e una corrente di drain continua di 45A. Offre una bassa Rds On, un'elevata dissipazione di potenza ed è progettato per il montaggio superficiale in contenitore TO-252, adatto per applicazioni di commutazione ad alta corrente.
Posso utilizzare il MOSFET Vishay SUD45P03-09-GE3 in ambienti ad alta temperatura?
Sì, questo MOSFET funziona in modo affidabile a temperature che vanno da -55°C a 150°C, rendendolo adatto a diverse applicazioni ad alta temperatura mantenendo un'ottima performance.
Il Vishay SUD45P03-09-GE3 è compatibile con tensioni di pilotaggio del gate di 4,5V e 10V?
Sì, il MOSFET è progettato per funzionare in modo efficiente con tensioni di pilotaggio del gate di 4,5V e 10V, garantendo una bassa Rds On e prestazioni di commutazione ottimali in diversi circuiti.
Quali sono i vantaggi dell'uso del package TO-252 per questo MOSFET?
Il package TO-252 offre una dissipazione termica efficace, facilità di montaggio superficiale e dimensioni compatte, rendendolo ideale per il commutamento di potenza ad alta corrente in spazi ristretti.
Il Vishay SUD45P03-09-GE3 è adatto per applicazioni automobilistiche o industriali?
Sì, grazie alla sua alta capacità di corrente, all'ampio intervallo di temperature di esercizio e alla conformità RoHS, questo MOSFET è adatto per applicazioni di gestione di potenza in ambito automobilistico e industriale.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SUD45P03-09-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SUD45P03-09-GE3 PCB symbols & footprints
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