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SUD35N10-26P-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
90400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SUD35N10-26P-E3
Panoramica del prodotto
12786303
Numero di Parte
SUD35N10-26P-E3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SUD35N10-26P-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 35A TO252Inventario
90400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SUD35N10-26P-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2000 pF @ 12 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
SUD35
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SUD35N10-26P
Scheda Dati HTML
SUD35N10-26P-E3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
SUD35N10-26P-E3DKR
SUD35N10-26P-E3CT
SUD35N10-26P-E3TR
SUD35N10-26P-E3-DG
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay SUD35N10-26P-E3?
Il MOSFET Vishay SUD35N10-26P-E3 è un MOSFET a canale N con una tensione di lavoro di 100V, una corrente continua di uscita di 35A e una resistenza Rds On bassa, ideale per applicazioni a montaggio superficiale. Presenta la tecnologia TrenchFET® per commutazione efficiente dell'energia ed è conforme alle direttive RoHS3.
Il MOSFET SUD35N10-26P-E3 è adatto per applicazioni di commutazione di potenza ad alta corrente?
Sì, questo MOSFET è in grado di gestire correnti di drain continue fino a 35A e ha un Rds On basso di 26mΩ a 12V Vgs, rendendolo ideale per commutazioni di potenza ad alta corrente e controllo del carico in vari dispositivi elettronici.
Qual è l'intervallo di temperatura di funzionamento del MOSFET Vishay SUD35N10-26P-E3?
Il MOSFET è progettato per operare in modo sicuro all’interno di un intervallo di temperature da -55°C a 175°C, garantendo prestazioni affidabili in condizioni ambientali diversificate.
Quanto è compatibile il MOSFET SUD35N10-26P-E3 con diversi circuiti e sistemi?
Questo MOSFET in package TO-252AA a montaggio superficiale è compatibile con i design standard di PCB e può essere utilizzato in molteplici applicazioni di gestione dell'energia, controllo motori e commutazione che richiedono fino a 100V e 35A di capacità.
Quali opzioni di garanzia e supporto post-vendita sono disponibili per l’acquisto del MOSFET Vishay SUD35N10-26P-E3?
Il MOSFET viene venduto come nuovo e originale, con inventario disponibile a magazzino, e generalmente gli acquirenti possono contare sull’assistenza del produttore e di distributori autorizzati per servizi di garanzia e supporto tecnico.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SUD35N10-26P-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SUD35N10-26P-E3 PCB symbols & footprints
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