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SUD09P10-195-BE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
4845 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SUD09P10-195-BE3
Panoramica del prodotto
12973812
Numero di Parte
SUD09P10-195-BE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SUD09P10-195-BE3
Descrizione
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAKInventario
4845 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SUD09P10-195-BE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1055 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
SUD09
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
Scheda Dati HTML
SUD09P10-195-BE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
742-SUD09P10-195-BE3CT
742-SUD09P10-195-BE3DKR
742-SUD09P10-195-BE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
Die Nachverkaufsbetreuung bei Di Digi Electronics ist hervorragend. Probleme werden schnell und professionell gelöst.
dicembre 02, 2025
The packaging from DiGi Electronics is always secure and intact upon delivery, reflecting their attention to detail.
dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay P-Channel SUD09P10-195-BE3?
Questo MOSFET è di tipo P-Channel con una tensione nominale di 100V e una corrente continua di scarica di 8,8A. Presenta una bassa Rds On (195mΩ a 10V), compatibile con montaggio superficiale grazie alla confezione TO-252AA, ed è adatto per applicazioni di commutazione ad alta efficienza.
Il MOSFET Vishay SUD09P10-195-BE3 è compatibile con diverse tensioni di gate?
Sì, il MOSFET può essere pilotato con una tensione Vgs massima di ±20V e ha una tensione di pilotaggio tipica tra 4,5V e 10V, rendendolo compatibile con circuiti di pilotaggio standard per un funzionamento efficiente.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET P-Channel di Vishay?
Questo MOSFET è ideale per commutazione di potenza in elettronica di consumo, automotive e applicazioni industriali, dove sono richiesti alta efficienza e prestazioni affidabili in design a montaggio superficiale.
Il Vishay SUD09P10-195-BE3 è adatto a ambienti di funzionamento ad alta temperatura?
Sì, funziona in un intervallo di temperatura da -55°C a 150°C, garantendo stabilità e prestazioni anche in condizioni di alta temperatura tipiche dell'elettronica di potenza.
Quali sono i vantaggi di scegliere questo MOSFET Vishay nel mio progetto?
La sua bassa Rds On, l'elevata capacità di dissipazione di potenza e il design compatto a montaggio superficiale lo rendono una scelta affidabile per una gestione efficiente dell'energia e applicazioni di commutazione ad alta velocità.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SUD09P10-195-BE3 CAD Models
Vishay Siliconix SUD09P10-195-BE3 PCB symbols & footprints
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