Prevenzione di contraffazione e difetti
Ispezione visiva e di confezionamento
Verifica delle prestazioni elettriche
Email di servizio:
[email protected]
>
SQS840EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
2930 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Richiedi preventivo
(Spedisce domani)
*Quantità
Minimo 1
Minimo 1
5.0 / 5.0
- (136 Valutazioni)
SQS840EN-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12786865
Numero di Parte
SQS840EN-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQS840EN-T1_GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8Inventario
2930 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
Acquisto e richiesta
Garanzia & Resi
Come Ordinare
Spedizione e Consegna
Assicurazione Qualità
365 - Garanzia di qualità giornaliera - Ogni pezzo completamente garantito.
Rimbordo o cambio entro 90 giorni - Parti difettose? Nessun problema.
Scorte Limitate, Ordina Ora - Ottieni pezzi affidabili senza preoccupazioni.
Spedizione Internazionale & Imballaggio Sicuro
Consegna in tutto il mondo in 3-5 giorni lavorativi
Imballaggio Antistatico ESD al 100%
Monitoraggio in tempo reale per ogni ordine
Pagamento Sicuro e Flessibile
Carta di Credito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Bonifico Bancario (T/T) e altro ancora
Tutti i pagamenti sono criptati per la sicurezza
SQS840EN-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1031 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base
SQS840
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQS840EN
Scheda Dati HTML
SQS840EN-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQS840EN-T1_GE3DKR
SQS840EN-T1_GE3TR
SQS840EN-T1_GE3CT
SQS840EN-T1-GE3
SQS840EN-T1_GE3-DG
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
我遇到的商品品質都非常優良，從未有過差強人意的情況，值得推薦！
dicembre 02, 2025
The environmentally conscious packaging is a big plus, and the delivery was punctual and reliable.
dicembre 02, 2025
Their support staff is friendly, informative, and always ready to assist with expert advice.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SQS840EN-T1\_GE3?
Il MOSFET Vishay SQS840EN-T1\_GE3 è un dispositivo a canale N con una tensione drain-source di 40V, una corrente continua di drain di 12A e una bassa Rds On di 20mΩ a Vgs di 10V. È progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza con package PowerPAK® 1212-8, adatto per uso automotive.
Il MOSFET Vishay SQS840EN-T1\_GE3 è compatibile con applicazioni automobilistiche?
Sì, questo MOSFET è qualificato per ambienti automotive secondo lo standard AEC-Q101, garantendo affidabilità e prestazioni elevate in elettronica automobilistica e sistemi di gestione dell\'energia.
Quali sono gli utilizzi tipici del MOSFET PowerPAK® 1212-8 SQS840EN-T1\_GE3?
Questo MOSFET è ideale per commutazione di potenza, controllo carico, gestione motori e conversione DC/DC in vari dispositivi elettronici, soprattutto quando è richiesta una compattezza e un\'alta efficienza.
Come scegliere la tensione di pilotaggio del gate corretta per questo MOSFET?
Il SQS840EN-T1\_GE3 può essere pilotato con una Vgs massima di 10V per prestazioni ottimali di Rds On, con una carica del gate tipica di 22,5nC a 10V, rendendolo adatto a driver logici standard.
Qual è la garanzia e la disponibilità del MOSFET Vishay SQS840EN-T1\_GE3?
Il prodotto è disponibile in stock con oltre 2.700 unità, ed è un articolo nuovo e originale supportato dagli standard di qualità Vishay, assicurando affidabilità e supporto affidabile.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SQS840EN-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQS840EN-T1_GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
