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SQS401EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
11400 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SQS401EN-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12786424
Numero di Parte
SQS401EN-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQS401EN-T1_GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8Inventario
11400 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SQS401EN-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
21.2 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1875 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base
SQS401
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQS401EN
Scheda Dati HTML
SQS401EN-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQS401EN-T1_GE3DKR
SQS401EN-T1_GE3TR
SQS401EN-T1-GE3-DG
SQS401EN-T1_GE3CT
SQS401EN-T1-GE3
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET P-Channel Vishay SQS401EN-T1?
Il Vishay SQS401EN-T1 è un MOSFET a montaggio superficiale P-Channel con una tensione di Vds di 40V e una corrente di drenaggio continua di 16A, caratterizzato dalla confezione PowerPAK® 1212-8 e dalla tecnologia TrenchFET® per un'efficiente commutazione di potenza.
Il Vishay SQS401EN-T1 è adatto per applicazioni elettroniche ad alta corrente?
Sì, con una corrente di drenaggio massima di 16A e una dissipazione di potenza fino a 62,5W, questo MOSFET è ideale per applicazioni di gestione dell'energia e commutazione complesse che richiedono elevate capacità di corrente.
Quali sono i requisiti di compatibilità e tensione di pilotaggio per il MOSFET P-Channel Vishay SQS401EN-T1?
Il MOSFET può essere pilotato efficacemente con tensioni di gate comprese tra 4,5V e 10V, con una tensione massima gate-source di ±20V, rendendolo compatibile con circuiti di pilotaggio a livello logico standard.
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo del MOSFET Vishay SQS401EN-T1 nel mio progetto?
Questo MOSFET offre una bassa Rds On (29mΩ a 12A e 10V), una buona resistenza alle alte temperature (-55°C a 175°C) e la conformità RoHS3, garantendo prestazioni affidabili e rispetto delle normative ambientali in diverse applicazioni.
Posso acquistare facilmente il MOSFET Vishay SQS401EN-T1 e come funziona l'assistenza post-vendita?
Il SQS401EN-T1 è disponibile a magazzino con 12.211 unità e, essendo un componente originale Vishay, è supportato tramite canali di distribuzione ufficiali e supporto tecnico per garantire qualità e affidabilità.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SQS401EN-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQS401EN-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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