SQM40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix
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SQM40P10-40L_GE3

Panoramica del prodotto

12786368

Numero di Parte

SQM40P10-40L_GE3-DG
SQM40P10-40L_GE3

Descrizione

MOSFET P-CH 100V 40A TO263

Inventario

RFQ Online
P-Channel 100 V 40A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Quantità
Minimo 1

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Disponibile (Tutti i prezzi sono in USD)
  • QTA Prezzo Obiettivo Prezzo Totale
  • 800 1.33 1066.68
  • 1600 1.10 1752.96
  • 2400 1.05 2525.13
  • 5600 1.02 5731.44
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SQM40P10-40L_GE3 Specifiche Tecniche

Categoria FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Stato del prodotto Active

Tipo FET P-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 40A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 17A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 5295 pF @ 25 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)

Grado Automotive

Qualificazione AEC-Q101

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D2PAK)

Pacchetto / Custodia TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numero di prodotto di base SQM40

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

SQM40P10-40L

Scheda Dati HTML

SQM40P10-40L_GE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
800
Altri nomi
SQM40P10-40L_GE3DKR
SQM40P10-40L_GE3CT
SQM40P10-40L_GE3TR
SQM40P10-40L_GE3-DG
Certificazione DIGI
Blog e Post