SQM40P10-40L_GE3
SQM40P10-40L_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 40A TO263
1312 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 100 V 40A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SQM40P10-40L_GE3

Panoramica del prodotto

12786368

Numero di Parte

SQM40P10-40L_GE3-DG
SQM40P10-40L_GE3

Descrizione

MOSFET P-CH 100V 40A TO263

Inventario

1312 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 100 V 40A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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  • 800 1.3053 1044.2226
  • 1600 1.0956 1752.9588
  • 2400 1.0521 2525.1267
  • 5600 1.0017 5609.4976
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SQM40P10-40L_GE3 Specifiche Tecniche

Categoria Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Stato del prodotto Active

Tipo FET P-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 40A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 17A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 5295 pF @ 25 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)

Grado Automotive

Qualificazione AEC-Q101

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D2PAK)

Pacchetto / Custodia TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numero di prodotto di base SQM40

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

SQM40P10-40L

Scheda Dati HTML

SQM40P10-40L_GE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
800
Altri nomi
SQM40P10-40L_GE3DKR
SQM40P10-40L_GE3CT
SQM40P10-40L_GE3TR
SQM40P10-40L_GE3-DG

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달***라
dicembre 02, 2025
4.9
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dicembre 02, 2025
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商品到着が早く、予想以上のスピードで驚きました。
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)

Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET P-Channel Vishay SQM40P10-40L_GE3?
Il Vishay SQM40P10-40L_GE3 è un MOSFET P-Channel ad alte prestazioni con una tensione di categoria di 100V e una corrente di drain continua di 40A. Presenta un Rds On basso di 40mΩ a 17A e 10V ed è progettato per applicazioni a montaggio superficiale nel package TO-263. Supporta un ampio intervallo di temperature operative, da -55°C a 175°C, ed è adatto per applicazioni automobilistiche e ad alta potenza.
Quali sono gli utilizzi tipici del MOSFET P-Channel Vishay SQM40P10-40L_GE3?
Questo MOSFET P-Channel è ideale per commutazione di potenza, switching di carico e controllo motori in ambito automobilistico, industriale e di elettronica di consumo. La sua alta capacità di corrente e le sue rapide capacità di commutazione lo rendono adatto a compiti che richiedono una gestione efficiente dell’energia e un’elevata affidabilità.
Il MOSFET Vishay SQM40P10-40L_GE3 è compatibile con una tensione di pilotaggio alla porta di 10V?
Sì, il MOSFET è progettato per operare con una tensione massima di pilotaggio di 10V tra gate e source, garantendo un basso Rds On per un’efficiente conduzione alle tensioni di pilotaggio standard. Supporta inoltre un Rds On minimo a 4,5V, offrendo flessibilità nei vari circuiti di pilotaggio.
In che modo l’imballaggio del Vishay SQM40P10-40L_GE3 favorisce la produzione e l’assemblaggio?
Il MOSFET è confezionato in formato Tape & Reel (TR), facilitando i processi di assemblaggio automatizzato a montaggio superficiale. La sua confezione D2PAK (TO-263) garantisce una buona dissipazione termica e una facile installazione in applicazioni ad alta potenza.
Il Vishay SQM40P10-40L_GE3 rispetta gli standard dell’industria automobilistica e possiede certificazioni affidabili?
Sì, questo MOSFET è qualificato per l’uso in ambito automobilistico e rispetta gli standard di qualificazione AEC-Q101, assicurando un’elevata affidabilità e durata nelle condizioni di installazione automobilistiche. È adatto per applicazioni che richiedono standard di qualità e prestazioni rigorosi.
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