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SQM40031EL_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
1021 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SQM40031EL_GE3
Panoramica del prodotto
12787331
Numero di Parte
SQM40031EL_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQM40031EL_GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAKInventario
1021 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Quantità
Minimo 1
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SQM40031EL_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
800 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
39000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
SQM40031
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQM40031EL
Scheda Dati HTML
SQM40031EL_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
SQM40031EL_GE3CT
SQM40031EL_GE3DKR
SQM40031EL_GE3TR
SQM40031EL_GE3-DG
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Assicurazione Qualità (QC)
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SQM40031EL_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQM40031EL_GE3 PCB symbols & footprints
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