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SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
2244 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SQM120P10_10M1LGE3
Panoramica del prodotto
12787180
Numero di Parte
SQM120P10_10M1LGE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQM120P10_10M1LGE3
Descrizione
MOSFET P-CH 100V 120A TO263Inventario
2244 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Quantità
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SQM120P10_10M1LGE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
SQM120
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQM120P10_10M1L
Scheda Dati HTML
SQM120P10_10M1LGE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
SQM120P10_10M1LGE3-DG
SQM120P10 10M1LGE3
SQM120P10_10M1LGE3TR
SQM120P10_10M1LGE3DKR
SQM120P10_10M1LGE3CT
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Assicurazione Qualità (QC)
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SQM120P10_10M1LGE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQM120P10_10M1LGE3 PCB symbols & footprints
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