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SQJQ410EL-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
3017 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 135A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
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SQJQ410EL-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12786812
Numero di Parte
SQJQ410EL-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQJQ410EL-T1_GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8Inventario
3017 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 135A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
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SQJQ410EL-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
135A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7350 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 8 x 8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 8 x 8
Numero di prodotto di base
SQJQ410
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQJQ410EL
Scheda Dati HTML
SQJQ410EL-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
SQJQ410EL-T1_GE3CT
SQJQ410EL-T1_GE3DKR
SQJQ410EL-T1_GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
배송이 정말 빠르고 안전하게 포장된 덕분에 만족스럽습니다.
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay SQJQ410EL-T1_GE3?
Il Vishay SQJQ410EL-T1_GE3 è un MOSFET a canale N con una tensione di esercizio di 100V e una corrente continua di drain di 135A, progettato per applicazioni ad alta potenza. Presenta un package PowerPAK® 8 x 8, una resistenza Rds On bassa di 3,4 mΩ ed è adatto per l'uso automobilistico grazie alla sua elevata tolleranza alle temperature (-55°C a 175°C).
Il MOSFET Vishay SQJQ410EL-T1_GE3 è adatto alle applicazioni automobilistiche?
Sì, questo MOSFET è qualificato secondo lo standard AEC-Q101, rendendolo ideale per l'elettronica automobilistica e sistemi di gestione energetica ad alta richiesta.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET ad alta corrente?
Questo MOSFET è ideale per lo switching di potenza in drive di motori, convertitori DC/DC e moduli di alimentazione, grazie alla sua elevata capacità di corrente e alla bassa Rds On, che garantiscono prestazioni efficienti e affidabili.
Come favorisce il tipo di package del Vishay SQJQ410EL-T1_GE3 l’installazione?
Il package PowerPAK® 8 x 8 di montaggio superficiale permette una facile collocazione sulla scheda, offre un’efficace dissipazione del calore ed è compatibile con i processi di produzione SMT standard.
Quali considerazioni devo tenere presente nella scelta di questo MOSFET per il mio progetto?
Assicurati che il circuito operi entro i limiti di tensione e corrente specificati, e considera i requisiti di tensione di gating tra 4,5V e 10V per ottimizzare le prestazioni di Rds On. È inoltre consigliabile l'uso di un dissipatore di calore adeguato per mantenere i limiti termici.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SQJQ410EL-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJQ410EL-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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