Prevenzione di contraffazione e difetti
Ispezione visiva e di confezionamento
Verifica delle prestazioni elettriche
Email di servizio:
[email protected]
>
SQJQ112E-T1_GE3
Vishay Siliconix
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
240100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Richiedi preventivo
(Spedisce domani)
*Quantità
Minimo 1
Minimo 1
5.0 / 5.0
- (431 Valutazioni)
SQJQ112E-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12965597
Numero di Parte
SQJQ112E-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQJQ112E-T1_GE3
Descrizione
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)Inventario
240100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
Acquisto e richiesta
Garanzia & Resi
Come Ordinare
Spedizione e Consegna
Assicurazione Qualità
365 - Garanzia di qualità giornaliera - Ogni pezzo completamente garantito.
Rimbordo o cambio entro 90 giorni - Parti difettose? Nessun problema.
Scorte Limitate, Ordina Ora - Ottieni pezzi affidabili senza preoccupazioni.
Spedizione Internazionale & Imballaggio Sicuro
Consegna in tutto il mondo in 3-5 giorni lavorativi
Imballaggio Antistatico ESD al 100%
Monitoraggio in tempo reale per ogni ordine
Pagamento Sicuro e Flessibile
Carta di Credito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Bonifico Bancario (T/T) e altro ancora
Tutti i pagamenti sono criptati per la sicurezza
SQJQ112E-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
296A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.53mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
272 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
15945 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
600W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 8 x 8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 8 x 8
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQJQ112E
Scheda Dati HTML
SQJQ112E-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
742-SQJQ112E-T1_GE3TR
742-SQJQ112E-T1_GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
배송이 빠르고, 포장재가 재활용 가능해서 기쁜 마음으로 받았어요.
dicembre 02, 2025
Ich wurde nicht enttäuscht von der Geschwindigkeit, mit der meine Bestellung versandt wurde – sehr schnell und zuverlässig.
dicembre 02, 2025
Ich war angenehm überrascht, wie zügig meine Bestellung bei DiGi Electronics ankam. Das hat meinen Tag definitiv verbessert.
dicembre 02, 2025
Impressed with their responsiveness and clear communication.
dicembre 02, 2025
Their commitment to continuous support ensures that we always have help when needed.
dicembre 02, 2025
The company's proactive after-sales approach reduces downtime and increases productivity.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET automotive N-channel Vishay (SQJQ112E-T1_GE3)?
Questo MOSFET offre una tensione di alimentazione di 100V, una corrente di drain continua elevata di 296A e una dissipazione di potenza massima di 600W. Presenta un basso Rds On (2,53 mΩ a 20A, 10V) ed è progettato per applicazioni automobilistiche, garantendo prestazioni affidabili in ambienti ad alta potenza.
Il MOSFET Vishay SQJQ112E-T1_GE3 è adatto ai sistemi elettronici automobilistici?
Sì, questo MOSFET è specificamente qualificato per uso automobilistico secondo lo standard AEC-Q101, rendendolo ideale per la gestione dell'energia nei veicoli, controlli motore e applicazioni industriali che richiedono alta durata e affidabilità.
Qual è l'intervallo di temperatura di esercizio di questo MOSFET di potenza?
Il Vishay SQJQ112E-T1_GE3 può operare in un intervallo di temperatura da -55°C a 175°C (TJ), adatto per ambienti automobilistici e industriali impegnativi.
Questo MOSFET supporta la tecnologia Surface Mount per un facile montaggio sulla scheda PCB?
Sì, dispone di un package PowerPAK® 8 x 8 con montaggio a superficie (Surface Mount), facilitando l'assemblaggio e offrendo buone prestazioni termiche.
Quali sono le caratteristiche elettriche e l'affidabilità di questo MOSFET di cui dovrei essere a conoscenza?
Questo MOSFET ha una tensione di soglia di circa 3,5V, una carica di gate bassa di 272 nC e ottime capacità di gestione della corrente, garantendo basse perdite di conduzione e alta stabilità in applicazioni impegnative.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SQJQ112E-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJQ112E-T1_GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
