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SQJ992EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
201000 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 60V 15A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SQJ992EP-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12786922
Numero di Parte
SQJ992EP-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQJ992EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8Inventario
201000 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 60V 15A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SQJ992EP-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56.2mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
446pF @ 30V
Potenza - Max
34W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8 Dual
Numero di prodotto di base
SQJ992
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQJ992EP
Scheda Dati HTML
SQJ992EP-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQJ992EP-T1_GE3-DG
SQJ992EP-T1_GE3TR
SQJ992EP-T1-GE3
SQJ992EP-T1_GE3DKR
SQJ992EP-T1-GE3-DG
SQJ992EP-T1_GE3CT
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Assicurazione Qualità (QC)
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SQJ992EP-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJ992EP-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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