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SQJ461EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
333100 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 60 V 30A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ461EP-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12786544
Numero di Parte
SQJ461EP-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQJ461EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8Inventario
333100 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 60 V 30A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ461EP-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 14.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4710 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SQJ461
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQJ461EP
Scheda Dati HTML
SQJ461EP-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQJ461EP-T1_GE3TR
SQJ461EP-T1_GE3CT
SQJ461EP-T1-GE3-DG
SQJ461EP-T1_GE3DKR
SQJ461EP-T1-GE3
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SQJ461EP-T1_GE3?
Il MOSFET Vishay SQJ461EP-T1_GE3 è un dispositivo a canale P con una tensione di alimentazione di 60V, una corrente di drenaggio continua di 30A e confezione PowerPAK SO-8, pensato per applicazioni di alta efficienza energetica.
Il MOSFET Vishay SQJ461EP-T1_GE3 è adatto per applicazioni automobilistiche?
Sì, questo MOSFET è qualificato per uso automobilistico secondo lo standard AEC-Q101, garantendo affidabilità nelle varie circuitazioni di alimentazione automotive.
Qual è la tensione massima drain-source e la corrente di drenaggio continuo di questo MOSFET?
Il dispositivo ha una tensione massima drain-source di 60V e può gestire una corrente di drenaggio continuo fino a 30A a 25°C.
Quanto è compatibile il Vishay SQJ461EP-T1_GE3 con diverse tensioni di pilotaggio del gate?
Funziona efficacemente con tensioni di pilotaggio del gate tra 4,5V e 10V, grazie a un basso Rds On, che garantisce perdite di conduzione minime.
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo della confezione PowerPAK SO-8 di Vishay per questo MOSFET?
La confezione PowerPAK SO-8 offre un design compatto, a montaggio superficiale, con eccellenti prestazioni termiche, supportando un'elevata dissipazione di potenza e un montaggio affidabile su vari dispositivi elettronici.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SQJ461EP-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJ461EP-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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