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SQJ460AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
3353 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 60 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ460AEP-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12786250
Numero di Parte
SQJ460AEP-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQJ460AEP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8Inventario
3353 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 60 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ460AEP-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4795 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SQJ460
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQJ460EP-T1-GE3
Scheda Dati HTML
SQJ460AEP-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQJ460AEP-T1-GE3
SQJ460AEP-T1_GE3TR
SQJ460AEP-T1_GE3CT
SQJ460AEP-T1_GE3DKR
SQJ460AEP-T1_GE3-DG
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Assicurazione Qualità (QC)
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SQJ460AEP-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJ460AEP-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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