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SQD90P04-9M4L_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
3290 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SQD90P04-9M4L_GE3
Panoramica del prodotto
12786477
Numero di Parte
SQD90P04-9M4L_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQD90P04-9M4L_GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AAInventario
3290 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SQD90P04-9M4L_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6675 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
SQD90
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQD90P04-9M4L
Scheda Dati HTML
SQD90P04-9M4L_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
SQD90P04-9M4L_GE3-DG
SQD90P04-9M4L_GE3CT
SQD90P04-9M4L_GE3TR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Assicurazione Qualità (QC)
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SQD90P04-9M4L_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQD90P04-9M4L_GE3 PCB symbols & footprints
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