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SQD50P04-13L_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
6300 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 50A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SQD50P04-13L_GE3
Panoramica del prodotto
12786413
Numero di Parte
SQD50P04-13L_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQD50P04-13L_GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 50A TO252Inventario
6300 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 50A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SQD50P04-13L_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3590 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
SQD50
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQD50P04-13L
Scheda Dati HTML
SQD50P04-13L_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
SQD50P04-13L_GE3CT
SQD50P04-13L_GE3DKR
SQD50P04-13L_GE3TR
SQD50P04-13L-GE3
SQD50P04-13L-GE3-DG
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay P-Channel SQD50P04-13L_GE3?
Questo MOSFET P-Channel presenta una tensione drain-to-source di 40V, una corrente continua di 50A, un Rds On basso di 13mΩ ed è adatto per applicazioni di commutazione ad alta corrente. È progettato con tecnologia TrenchFET® per efficienza e affidabilità.
Il MOSFET Vishay SQD50P04-13L_GE3 è compatibile con componenti elettronici standard?
Sì, è compatibile con i circuiti a montaggio superficiale comuni e può operare in un intervallo di temperatura da -55°C a 175°C. La sua forma TO-252 rende facile l'integrazione in diversi dispositivi di alimentazione elettronici.
Quali sono le applicazioni tipiche del MOSFET P-Channel SQD50P04-13L_GE3?
Questo MOSFET è ideale per applicazioni come commutazione di carico, regolazione di potenza, controllo motore e relè a stato solido, soprattutto in presenza di alta corrente e necessità di commutazione efficiente.
Come assicurare una corretta pilotatura del MOSFET SQD50P04-13L_GE3?
Il MOSFET può essere pilotato con una tensione di gate tra 4,5V e 10V per un funzionamento ottimale di Rds On. È importante seguire le linee guida del datasheet riguardo alla carica e ai livelli di tensione del gate per garantire una commutazione affidabile.
Quale supporto post-vendita e garanzia offre il MOSFET Vishay SQD50P04-13L_GE3?
Essendo un prodotto originale nuovo in stock, il MOSFET viene fornito con supporto del produttore e politiche di garanzia standard. Si consiglia di consultare il fornitore per dettagli specifici sulla garanzia e i servizi post-vendita.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SQD50P04-13L_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQD50P04-13L_GE3 PCB symbols & footprints
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