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SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
46915 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
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SQ4949EY-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12786257
Numero di Parte
SQ4949EY-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQ4949EY-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOICInventario
46915 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
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SQ4949EY-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 P-Channel (Dual)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1020pF @ 25V
Potenza - Max
3.3W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Numero di prodotto di base
SQ4949
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQ4949EY
Scheda Dati HTML
SQ4949EY-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
SQ4949EY-T1_GE3DKR
SQ4949EY-T1_GE3CT
SQ4949EY-T1_GE3TR
SQ4949EY-T1_GE3-DG
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SQ4949EY-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQ4949EY-T1_GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
