SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SQ3426EEV-T1-GE3

Panoramica del prodotto

12786534

Numero di Parte

SQ3426EEV-T1-GE3-DG

Produttore

Vishay Siliconix
SQ3426EEV-T1-GE3

Descrizione

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

Inventario

10310 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 60 V 7A (Tc) Surface Mount 6-TSOP
FET singoli, MOSFET
SQ3426EEV-T1-GE3 Scheda dati
Quantità
Minimo 1

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SQ3426EEV-T1-GE3 Specifiche Tecniche

Categoria FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio -

Serie -

Stato del prodotto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 60 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 700 pF @ 30 V

Funzione FET -

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP

Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Numero di prodotto di base SQ3426

Scheda dati e documenti

Schede dati

Scarica SQ3426EEV-T1-GE3 Specifiche del prodotto (PDF)
Schede tecniche

SQ3426EEV
Scheda Dati HTML

SQ3426EEV-T1-GE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQ3426EEVT1GE3
SQ3426EEV-T1-GE3CT
SQ3426EEV-T1-GE3DKR
SQ3426EEV-T1-GE3TR

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
DMN6040SVT-7
Diodes Incorporated
26300
DMN6040SVT-7-DG
0.3206
MFR Recommended
SQ3426AEEV-T1_GE3
Vishay Siliconix
10200
SQ3426AEEV-T1_GE3-DG
0.2100
Direct
Certificazione DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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