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SQ2398ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
20400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 1.6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SQ2398ES-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12786737
Numero di Parte
SQ2398ES-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQ2398ES-T1_GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3Inventario
20400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 1.6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SQ2398ES-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
3.4 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
152 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
SQ2398
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQ2398ES
Scheda Dati HTML
SQ2398ES-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQ2398ES-T1_GE3DKR
SQ2398ES-T1_GE3TR
SQ2398ES-T1_GE3CT
SQ2398ES-T1_GE3-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
每次查詢物流狀態都可以得到明確的資訊，系統界面也很容易操作。
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche e specifiche del MOSFET N-Channel Vishay SQ2398ES-T1_GE3?
Questo MOSFET presenta una tensione drain-source di 100V, una corrente continua di drain di 1,6A e un basso Rds On di 300mΩ a 10V. È progettato per applicazioni montate su superficie con un package TO-236-3 (SOT-23-3), ideale per commutazioni ad alta efficienza.
Il MOSFET Vishay SQ2398ES-T1_GE3 è adatto per applicazioni automobilistiche?
Sì, questo MOSFET è classificato per uso automobilistico e qualificato secondo gli standard AEC-Q101, garantendo affidabilità per applicazioni automotive e altre applicazioni ad alta affidabilità.
Qual è l'uso tipico o l'applicazione principale di questo MOSFET N-Channel?
Questo MOSFET è ideale per commutazione di potenza, gestione del carico, controllo di motori e altre applicazioni che richiedono alta efficienza e commutazioni rapide in design compatti montati su superficie.
Quanto è compatibile il Vishay SQ2398ES-T1_GE3 con diversi sistemi elettrici?
Funziona con una tensione massima di gate-source di ±20V ed è compatibile con sistemi che richiedono un voltaggio di pilotaggio di 10V, garantendo ampia compatibilità con vari circuiti elettronici e di alimentazione.
Quali sono le opzioni di acquisto e supporto post-vendita per questo MOSFET Vishay?
Il prodotto è disponibile in grandi quantità (oltre 16.000 unità) e con disponibilità immediata. I clienti possono contare su una fornitura affidabile, e Vishay offre supporto professionale per richieste tecniche e servizi di garanzia.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SQ2398ES-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQ2398ES-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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