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SQ2361AEES-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
41200 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount
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SQ2361AEES-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12786746
Numero di Parte
SQ2361AEES-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQ2361AEES-T1_GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23Inventario
41200 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount
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SQ2361AEES-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Last Time Buy
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
620 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TA)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
SQ2361
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQ2361AEES
Scheda Dati HTML
SQ2361AEES-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQ2361AEES-T1_GE3DKR
SQ2361AEES-T1-GE3
SQ2361AEES-T1_GE3-DG
SQ2361AEES-T1_GE3TR
SQ2361AEES-T1_GE3CT
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay P-Chan 60V 2,8A (SSOT23)?
Questo MOSFET a canale P presenta una tensione massima drain-to-source di 60V, una corrente continua di drain di 2,8A e una bassa Rds On di 170mΩ, rendendolo adatto a applicazioni di commutazione ad alta efficienza. È progettato per montaggio superficiale con un package compatto SSOT23.
Questo MOSFET è compatibile con applicazioni automotive?
Sì, questo MOSFET è qualificato secondo lo standard AEC-Q101, garantendo affidabilità e prestazioni in ambienti automobilistici. Il suo robusto intervallo di temperatura da -55°C a 175°C lo rende ideale per i sistemi elettronici veicolari.
Come influisce la dissipazione di potenza di questo MOSFET sull'utilizzo nei circuiti?
Con una dissipazione di potenza massima di 2W a Tc, questo MOSFET può gestire carichi di potenza moderati in modo efficiente, rendendolo ideale per attività di commutazione, switch di carico e gestione energetica in vari dispositivi elettronici.
Quali sono i vantaggi di scegliere questo MOSFET a montaggio superficiale per la progettazione dei circuiti?
Il suo package compatto SOT-23 permette realizzazioni compatte, facile montaggio superficiale e dissipazione termica efficiente. La bassa Rds On e le capacità di commutazione ad alta velocità migliorano le prestazioni complessive del circuito.
Questo MOSFET è conforme alle normative RoHS e REACH, e cosa significa questo?
Sì, questo MOSFET è conforme alle normative RoHS3 e non è influenzato dalle regolamentazioni REACH, a indicare che rispetta gli standard ambientali e di sicurezza necessari per i componenti elettronici.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SQ2361AEES-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQ2361AEES-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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