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SQ2319ADS-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
10200 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 4.6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SQ2319ADS-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12787409
Numero di Parte
SQ2319ADS-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQ2319ADS-T1_GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3Inventario
10200 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 40 V 4.6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SQ2319ADS-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
620 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
SQ2319
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQ2319ADS
Scheda Dati HTML
SQ2319ADS-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQ2319ADS-T1_GE3CT
SQ2319ADS-T1_GE3DKR
SQ2319ADS-T1_GE3TR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET P-Channel Vishay SQ2319ADS-T1_GE3?
Il SQ2319ADS-T1_GE3 è un MOSFET P-Channel con una tensione drain-source di 40V, una corrente continua di drain di 4,6A e una resistenza Rds On molto bassa di 75mΩ a 3A e 10V. Presenta un package compatto in montaggio superficiale SOT-23-3, ideale per applicazioni ad alta efficienza.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET P-Channel?
Questo MOSFET è ideale per l'uso in elettronica automotive, gestione dell'alimentazione, commutazione di carichi e altri circuiti a commutazione ad alta velocità che richiedono un controllo affidabile ed efficiente dell'energia.
Il Vishay SQ2319ADS-T1_GE3 è compatibile con i design di circuiti moderni?
Sì, è compatibile con i progetti standard di PCB in montaggio superficiale e supporta tensioni di pilotaggio da 4,5V a 10V, rendendolo adatto per applicazioni circuitali contemporanee che richiedono bassa Rds On e alta efficienza.
Quali sono i vantaggi di scegliere questo MOSFET di Vishay?
Questo dispositivo offre una bassa resistenza Rds On, un'alta capacità di dissipazione di potenza fino a 2,5W, un ampio intervallo di temperature operative ed è qualificato secondo gli standard AEC-Q101, assicurando affidabilità in ambienti automotive e industriali.
Come posso acquistare e garantire la qualità del MOSFET Vishay SQ2319ADS-T1_GE3?
Il MOSFET è disponibile in confezione tape & reel per una facile integrazione nelle linee di produzione ed è un prodotto nuovo, originale, conforme alle normative RoHS e con livello di sensibilità all’umidità illimitato, garantendo qualità e conformità.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SQ2319ADS-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQ2319ADS-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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