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SQ2318AES-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
78615 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 8A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SQ2318AES-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12787703
Numero di Parte
SQ2318AES-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQ2318AES-T1_GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3Inventario
78615 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 8A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Quantità
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SQ2318AES-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
555 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
SQ2318
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQ2318AES
Scheda Dati HTML
SQ2318AES-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQ2318AES-T1_GE3DKR
SQ2318AES-T1_GE3CT
SQ2318AES-T1_GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
価格が安い上に、発送も迅速で、非常に満足しています。リピート確定です。
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-Channel Vishay SQ2318AES-T1_GE3?
Il Vishay SQ2318AES-T1_GE3 è un MOSFET N-Channel ad alte prestazioni, con una tensione di drain-source di 40V, corrente continua di 8A e una resistenza Rds On di 31mΩ, ideale per commutazioni di potenza efficienti in diverse applicazioni.
Il Vishay SQ2318AES-T1_GE3 è compatibile con applicazioni automobilistiche?
Sì, questo MOSFET è specificamente progettato per l’uso automobilistico, conforme agli standard AEC-Q101 e in grado di operare con affidabilità in intervalli di temperatura che vanno da -55°C a 175°C.
Quale tipo di montaggio e imballaggio presenta il modello SQ2318AES-T1_GE3?
Il MOSFET è dotato di un package a montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236), rendendolo adatto per assemblaggi compatte e automatizzati su schede PCB.
Come beneficia il basso Rds On il design del mio circuito?
Un Rds On più basso riduce le perdite di conduzione, migliora l’efficienza e minimizza la dissipazione di calore, caratteristiche fondamentali per una gestione energetica ad alte prestazioni.
Qual è la garanzia o la polizza di qualità per l’acquisto del MOSFET Vishay SQ2318AES-T1_GE3 disponibile in stock?
Tutti i dispositivi sono nuovi e originali, con un vasto inventario disponibile, garantendo fornitura affidabile e qualità assicurata per i tuoi progetti elettronici o esigenze di produzione.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SQ2318AES-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQ2318AES-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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