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SQ2315ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
19913 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 12 V 5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SQ2315ES-T1_GE3
Panoramica del prodotto
12787713
Numero di Parte
SQ2315ES-T1_GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SQ2315ES-T1_GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3Inventario
19913 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 12 V 5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Quantità
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SQ2315ES-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
870 pF @ 4 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
SQ2315
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SQ2315ES
Scheda Dati HTML
SQ2315ES-T1_GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQ2315ES-T1_GE3DKR
SQ2315ES-T1_GE3CT
SQ2315ES-T1_GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
DiGi Electronics的團隊一直以來都提供細心且周到的客戶服務，非常值得推薦。
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET P-Channel Vishay SQ2315ES-T1\_GE3?
Il Vishay SQ2315ES-T1\_GE3 è un MOSFET P-Channel con una tensione drain-source di 12V, una corrente di drain continua di 5A e una bassa Rds(on) di 50mΩ. È progettato per applicazioni a montaggio superficiale con un package compatto SOT-23-3 ed è ideale per esigenze di commutazione ad alte prestazioni.
Il Vishay SQ2315ES-T1\_GE3 è adatto per applicazioni automobilistiche?
Sì, questo MOSFET è approvato per uso automobilistico, conforme agli standard AEC-Q101, e ha una gamma di temperatura operativa da -55°C a 150°C, garantendo affidabilità nelle ambientazioni automotive.
Il MOSFET Vishay SQ2315ES-T1\_GE3 può essere utilizzato in circuiti di commutazione a bassa tensione?
Assolutamente sì, grazie a un intervallo di tensione di pilotaggio della gate di 1,8V a 4,5V e a una bassa Rds(on), questo MOSFET è particolarmente adatto per applicazioni di commutazione digitale o analogica a bassa tensione, assicurando prestazioni efficienti con un minimo surriscaldamento.
Quali sono i vantaggi di scegliere un package SOT-23-3 per questo MOSFET?
Il package SOT-23-3 offre un ingombro compatto, ottime prestazioni termiche e una facile montabilità a superficie, risultando ideale per circuiti densi e processi di produzione automatizzati.
Come garantisce il Vishay SQ2315ES-T1\_GE3 qualità e affidabilità?
Questo MOSFET viene sottoposto a test approfonditi, è conforme alle normative RoHS3 e qualificato secondo gli standard AEC-Q101, assicurando alta affidabilità e sicurezza in applicazioni esigenti come l’elettronica automobilistica.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SQ2315ES-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQ2315ES-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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