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SIZF906DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
2760 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
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SIZF906DT-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786572
Numero di Parte
SIZF906DT-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIZF906DT-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIRInventario
2760 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
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SIZF906DT-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Potenza - Max
38W (Tc), 83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
8-PowerPair® (6x5)
Numero di prodotto di base
SIZF906
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SiZF906DT
Scheda Dati HTML
SIZF906DT-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIZF906DT-T1-GE3CT
SIZF906DT-T1-GE3CT-DG
SIZF906DT-T1-GE3TR
742-SIZF906DT-T1-GE3TR
742-SIZF906DT-T1-GE3CT
SIZF906DT-T1-GE3TR-DG
742-SIZF906DT-T1-GE3DKR
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali dell'array di MOSFET Vishay SIZF906DT-T1-GE3?
L'array di MOSFET SIZF906DT-T1-GE3 è un componente ad alte prestazioni con 2 transistori N-Channel, tensione drain-source di 30V e corrente continua di drain di 60A. Presenta la tecnologia TrenchFET® Gen IV, bassa Rds(on) ed è ideale per montaggio superficiale in applicazioni di potenza.
Come posso utilizzare l'array di MOSFET Vishay nei miei progetti elettronici?
Questo array di MOSFET è ideale per compiti di commutazione e gestione dell'alimentazione in circuiti che richiedono alta corrente e operazioni efficienti. Il suo design a montaggio superficiale consente un'installazione semplice in layout compatti di PCB per alimentatori, motori o invertitori.
L'array di MOSFET Vishay è compatibile con altri componenti e sistemi elettronici?
Sì, l'SIZF906DT-T1-GE3 è compatibile con applicazioni di pilotaggio gate a 10V standard e può essere integrato in vari sistemi elettronici di potenza. Assicurati che il circuito di controllo rispetti le specifiche di tensione e corrente per prestazioni ottimali.
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di questo array di MOSFET rispetto ai singoli MOSFET?
Utilizzare un array di MOSFET come il SIZF906 riduce il numero di componenti e semplifica la progettazione del circuito, offrendo al contempo prestazioni equilibrate per multiple canali di commutazione. La sua configurazione integrata migliora affidabilità e gestione termica nella tua applicazione.
Quali sono il supporto post-vendita e le garanzie offerte da Vishay per questo array di MOSFET?
Vishay offre un supporto clienti affidabile, con prodotti coperti da garanzie del produttore e assistenza tecnica. Inoltre, l'array di MOSFET è conforme alle normative RoHS3 ed è disponibile a magazzino per una consegna rapide.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIZF906DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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