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SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR
17300 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 32.9W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
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SIZ998DT-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786461
Numero di Parte
SIZ998DT-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIZ998DT-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIRInventario
17300 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 32.9W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
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SIZ998DT-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual), Schottky
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Potenza - Max
20.2W, 32.9W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
8-PowerPair® (6x5)
Numero di prodotto di base
SIZ998
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIZ998DT
Scheda Dati HTML
SIZ998DT-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIZ998DT-T1-GE3-DG
SIZ998DT-T1-GE3TR
SIZ998DT-T1-GE3DKR
SIZ998DT-T1-GE3CT
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dicembre 02, 2025
Toller Service! Schnelle Lieferung, sichere Verpackung.
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
Customer support is proactive, caring, and always ready to help after sales.
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali dell'array MOSFET Vishay SIZ998DT-T1-GE3?
L'array MOSFET Vishay SIZ998DT-T1-GE3 è un dispositivo montato su superficie con 8 coppie di potenza, con una tensione di drain-to-source massima di 30V e una corrente di drain continua di 20A per ciascun dispositivo, progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza.
L'array MOSFET Vishay è compatibile con diversi dispositivi elettronici?
Sì, questo array MOSFET è compatibile con un'ampia gamma di sistemi elettronici che richiedono commutazione di alta potenza, come alimentatori, driver per motori e convertitori DC-DC, grazie alla sua performance robusta e al design montato su superficie.
Quali sono i vantaggi di utilizzare l'array MOSFET Vishay TrenchFET® nel mio progetto?
Questo array MOSFET offre un Rds(on) basso per una riduzione delle perdite di conduzione, ottime performance termiche e un involucro compatto, rendendolo adatto per applicazioni ad alta corrente in spazi ristretti con prestazioni affidabili.
Come posso acquistare l'array MOSFET Vishay SIZ998DT-T1-GE3?
Il prodotto è disponibile con imballaggio in nastro e bobina, con oltre 13.000 unità in stock. Puoi acquistarne direttamente tramite distributori autorizzati o canali ufficiali Vishay per una consegna rapida e garanzia di qualità autentica.
Quali sono le specifiche termiche e ambientali di questo array MOSFET?
L'array Vishay SIZ998DT-T1-GE3 funziona in modo efficiente all’interno di un intervallo di temperature da -55°C a 150°C (TJ) e ha un livello di sensibilità all’umidità di livello 1, rendendolo adatto per ambienti esigenti garantendo un’operatività stabile.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIZ998DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ998DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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