SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIZ920DT-T1-GE3

Panoramica del prodotto

12786013

Numero di Parte

SIZ920DT-T1-GE3-DG

Produttore

Vishay Siliconix
SIZ920DT-T1-GE3

Descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR

Inventario

12400 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 40A 39W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
FET, Arrays di MOSFET
SIZ920DT-T1-GE3 Scheda dati
Quantità
Minimo 1

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SIZ920DT-T1-GE3 Specifiche Tecniche

Categoria FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio -

Serie TrenchFET®

Stato del prodotto Obsolete

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET -

Tensione da drain a source (Vdss) 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 18.9A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 1260pF @ 15V

Potenza - Max 39W, 100W

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore 8-PowerPair® (6x5)

Numero di prodotto di base SIZ920

Scheda dati e documenti

Schede dati

Scarica SIZ920DT-T1-GE3 Specifiche del prodotto (PDF)
Scheda Dati HTML

SIZ920DT-T1-GE3-DG
Schede tecniche

SIZ920DT

SIZ920DT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIZ920DT-T1-GE3TR
SIZ920DT-T1-GE3DKR
SIZ920DTT1GE3
SIZ920DT-T1-GE3CT

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
12200
SIZ998DT-T1-GE3-DG
0.5200
Direct
Certificazione DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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