SIZ920DT-T1-GE3
SIZ920DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
17400 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 40A 39W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
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SIZ920DT-T1-GE3

Panoramica del prodotto

12786013

Numero di Parte

SIZ920DT-T1-GE3-DG
SIZ920DT-T1-GE3

Descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR

Inventario

17400 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 40A 39W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
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SIZ920DT-T1-GE3 Specifiche Tecniche

Categoria Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio -

Serie TrenchFET®

Stato del prodotto Obsolete

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET -

Tensione da drain a source (Vdss) 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 18.9A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 1260pF @ 15V

Potenza - Max 39W, 100W

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore 8-PowerPair® (6x5)

Numero di prodotto di base SIZ920

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML

SIZ920DT-T1-GE3-DG

Schede tecniche

SIZ920DT

SIZ920DT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIZ920DT-T1-GE3TR
SIZ920DT-T1-GE3DKR
SIZ920DTT1GE3
SIZ920DT-T1-GE3CT

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
17300
SIZ998DT-T1-GE3-DG
0.5072
Direct

Reviews

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산***빛
dicembre 02, 2025
5.0
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)

Quali sono le caratteristiche principali dell'array di MOSFET Vishay SIZ920DT-T1-GE3?
L'array SIZ920DT-T1-GE3 è un array di MOSFET a due canali N con una tensione di 30V e una corrente continua di drain di 40A. Offre una resistenza Rds(on) di soli 7.1 mΩ ed è progettato per applicazioni a montaggio superficiale, ideale per commutazione di potenza e controllo motori.
In quali applicazioni è adatto l'array di MOSFET Vishay SIZ920DT-T1-GE3?
Questo array di MOSFET è ideale per commutazioni ad alta corrente, driver per motori, alimentatori e amplificatori di classe D, dove è fondamentale un'efficiente gestione dell'energia. La sua confezione compatta a montaggio superficiale lo rende adatto a design con spazio limitato.
L'array di MOSFET Vishay SIZ920DT-T1-GE3 è compatibile con altri componenti elettronici?
Sì, questo array di MOSFET è compatibile con componenti standard per PCB a montaggio superficiale. Funziona con una tensione di gate di 10V ed è conforme alle normative RoHS3, rendendolo adatto a assemblaggi elettronici ecocompatibili.
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo dell'array di MOSFET Vishay SIZ920DT-T1-GE3?
Questo array di MOSFET garantisce alta efficienza grazie a una bassa Rds(on), elevate capacità di corrente e un ampio intervallo di temperature operative, da -55°C a 150°C. La tecnologia TrenchFET® assicura prestazioni affidabili anche negli ambienti più esigenti.
Come posso acquistare e garantire la qualità dell'array di MOSFET Vishay SIZ920DT-T1-GE3?
L'SIZ920DT-T1-GE3 è disponibile in stock come prodotto nuovo e originale da fornitori affidabili. È conforme alle normative RoHS3 e adatto a diversi progetti elettronici, con supporto per un sourcing affidabile e assistenza tecnica, se necessario.
Certificazione DiGi
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