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SIZ918DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
3808 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
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SIZ918DT-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787776
Numero di Parte
SIZ918DT-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIZ918DT-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIRInventario
3808 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
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SIZ918DT-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
790pF @ 15V
Potenza - Max
29W, 100W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
8-PowerPair® (6x5)
Numero di prodotto di base
SIZ918
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIZ918DT
Scheda Dati HTML
SIZ918DT-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIZ918DT-T1-GE3CT
SIZ918DT-T1-GE3TR
SIZ918DT-T1-GE3DKR
SIZ918DTT1GE3
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche dell'array di MOSFET Vishay SIZ918DT-T1-GE3?
L'array di MOSFET SIZ918DT-T1-GE3 è un modulo a montaggio superficiale con 8 PowerPairs, progettato per commutazioni ad alta efficienza. Presenta una tensione drain-source di 30V e una corrente continua di drain di 16A per ogni MOSFET. Include un drive del gate a livello logico ed è dotato di bassa Rds(on), minimizzando le perdite di energia.
Quali applicazioni sono adatte per questo array di MOSFET con configurazione a 2 half bridge N-channel?
Questo array di MOSFET è ideale per commutazioni di potenza in driver di motori, convertitori DC-DC e altre applicazioni di pilotaggio di carichi che richiedono alta efficienza e design compatto.
L'array di MOSFET Vishay SIZ918DT-T1-GE3 è compatibile con i progetti standard di PCB a montaggio superficiale?
Sì, è dotato di un package Surface Mount (8-PowerWDFN) progettato per un'integrazione semplice in layout standard di PCB, garantendo un'installazione affidabile e compatta.
Come garantisce questo array di MOSFET efficienza energetica e prestazioni termiche?
Con un valore Rds(on) basso di 12mΩ, una potenza massima di 100W e un intervallo di temperatura operativa che va da -55°C a 150°C, questo array assicura prestazioni termiche eccellenti e alta efficienza energetica.
Qual è la garanzia e il supporto post vendita per l'array di MOSFET Vishay SIZ918DT-T1-GE3?
Essendo un prodotto nuovo e originale disponibile in stock, è coperto dalla garanzia standard del produttore e da supporto tecnico da parte di Vishay, garantendo affidabilità e assistenza post vendita affidabili.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIZ918DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ918DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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