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SIZ328DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33
3848 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 25V 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
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SIZ328DT-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787790
Numero di Parte
SIZ328DT-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIZ328DT-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33Inventario
3848 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 25V 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
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SIZ328DT-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Potenza - Max
2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
8-Power33 (3x3)
Numero di prodotto di base
SIZ328
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIZ328DT
Scheda Dati HTML
SIZ328DT-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIZ328DT-T1-GE3DKR-DG
SIZ328DT-T1-GE3DKR
SIZ328DT-T1-GE3TR
742-SIZ328DT-T1-GE3TR
SIZ328DT-GE3
SIZ328DT-T1-GE3TR-DG
SIZ328DT-T1-GE3CT
742-SIZ328DT-T1-GE3CT
SIZ328DT-T1-GE3CT-DG
742-SIZ328DT-T1-GE3DKR
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SIZ328DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ328DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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