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SISS76LDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
360300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
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SISS76LDN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12945157
Numero di Parte
SISS76LDN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SISS76LDN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAKInventario
360300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
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SISS76LDN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
70 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
3.3V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.25mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.6V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2780 pF @ 35 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8SH
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8SH
Numero di prodotto di base
SISS76
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
N-Channel 70 V (D-S) MOSFET
Scheda Dati HTML
SISS76LDN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
742-SISS76LDN-T1-GE3DKR
742-SISS76LDN-T1-GE3CT
742-SISS76LDN-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
비용 대비 성능이 뛰어나서 구매한 후 후회 없어요.
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET a canale N Vishay SISS76LDN-T1-GE3?
Questo MOSFET offre una tensione drain-to-source di 70V, una corrente continua di drain fino a 67,4A a temperatura della scatola, e presenta una bassa Rds On di 6,25 milliohm, rendendolo adatto per applicazioni di potenza ad alta efficienza. È realizzato con tecnologia TrenchFET® Gen IV e disponibile in un package Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH.
Il MOSFET Vishay SISS76LDN-T1-GE3 è compatibile con driver logici a bassa tensione?
Sì, questo MOSFET può essere comandato con tensioni logiche anche di 3,3V, grazie alla sua tensione massima di gate drive e alle basse specifiche di Rds On, rendendolo compatibile con circuiti di controllo a bassa tensione moderni.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET PowerPAK?
Questo MOSFET a canale N è ideale per commutazione di potenza in alimentatori ad alta efficienza, driver di motori, illuminazione a LED e altre applicazioni che richiedono elevate capacità di corrente e basse perdite di conduzione.
Il Vishay SISS76LDN-T1-GE3 è adatto per ambienti ad alta temperatura?
Sì, funziona in un intervallo di temperatura che va da -55°C a 150°C, permettendogli di operare in modo affidabile anche in condizioni termiche estreme tipiche dell’elettronica di potenza.
Quali opzioni di garanzia e supporto sono disponibili per l'acquisto di questo MOSFET?
Essendo un componente nuovo e originale in stock, questo MOSFET è coperto dalle politiche di supporto e garanzia standard di Vishay. Per supporto post-vendita specifico, si prega di contattare direttamente il distributore o Vishay.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SISS76LDN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISS76LDN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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