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SISS46DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK
3300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 12.5A (Ta), 45.3A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
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SISS46DN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787208
Numero di Parte
SISS46DN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SISS46DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAKInventario
3300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 12.5A (Ta), 45.3A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
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SISS46DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12.5A (Ta), 45.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2140 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8S
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8S
Numero di prodotto di base
SISS46
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SISS46DN
Scheda Dati HTML
SISS46DN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SISS46DN-T1-GE3TR
SISS46DN-T1-GE3CT
SISS46DN-T1-GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SISS46DN-T1-GE3?
Il MOSFET Vishay SISS46DN-T1-GE3 è un dispositivo N-Channel ad alte prestazioni con una tensione di circa 100V, capace di gestire una corrente continua fino a 12,5A e una corrente di picco di 45,3A. È caratterizzato da un Rds(on) basso di 12,8 mΩ, package PowerPAK® 1212-8S ed è progettato per applicazioni di montaggio superficiale, rendendolo ideale per circuiti di commutazione e gestione dell'energia.
Il MOSFET Vishay SISS46DN-T1-GE3 è compatibile con i progetti PCB più comuni?
Sì, questo MOSFET utilizza il package PowerPAK® 1212-8S, molto diffuso per il montaggio superficiale. La sua configurazione compatta semplifica la progettazione dei PCB e l'integrazione in diversi dispositivi elettronici.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET N-Channel da 100V?
Questo MOSFET è ideale per alimentatori, controllo motori, convertitori DC-DC e altre applicazioni che richiedono commutazioni di potenza efficienti, alta capacità di corrente e basso Rds(on).
Cosa rende il Vishay SISS46DN-T1-GE3 una scelta affidabile per i progetti elettronici?
La sua progettazione robusta, il basso Rds(on), l'alta capacità di corrente e la conformità agli standard RoHS ne fanno un componente affidabile ed efficiente, adatto a condizioni di lavoro ad alta temperatura e ambienti esigenti.
Il Vishay SISS46DN-T1-GE3 viene fornito con garanzia o supporto post-vendita?
In quanto prodotto originale e nuovo, attualmente disponibile in magazzino, di norma viene fornito con garanzie del produttore e supporto tecnico. Si consiglia di verificare con il proprio fornitore o distributore le specifiche politiche di assistenza e garanzia post-vendita.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SISS46DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISS46DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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