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SISS26LDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
1508 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 60 V 23.7A (Ta), 81.2A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
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SISS26LDN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787662
Numero di Parte
SISS26LDN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SISS26LDN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAKInventario
1508 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 60 V 23.7A (Ta), 81.2A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
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SISS26LDN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1980 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8S
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8S
Numero di prodotto di base
SISS26
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SISS26LDN Datasheet
Scheda Dati HTML
SISS26LDN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SISS26LDN-T1-GE3CT
SISS26LDN-T1-GE3DKR
SISS26LDN-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-channel Vishay SISS26LDN-T1-GE3?
Questo MOSFET offre una tensione drain-to-source di 60V, una corrente di colore continuo elevata di 23,7A e una bassa Rds On di 4,3mΩ a 15A e 10V. È progettato per un switching di potenza efficiente in applicazioni a montaggio superficiale con package PowerPAK® 1212-8S.
Il Vishay SISS26LDN-T1-GE3 è adatto per applicazioni di commutazione ad alta corrente?
Sì, con una corrente massima di drain di 81,2A (Tc) e una Rds On bassa, questo MOSFET è ideale per commutazione ad alta corrente e gestione dell'energia in dispositivi elettronici.
Qual è l'intervallo di temperatura operativa e la conformità ambientale di questo MOSFET?
Il MOSFET funziona tra -55°C e 150°C (TJ) ed è conforme alle normative RoHS3, rendendolo adatto a un'ampia gamma di applicazioni industriali ed elettroniche di consumo.
Quanto è compatibile questo MOSFET con tensioni di pilotaggio del gate standard?
È compatibile con tensioni di pilotaggio del gate da 4,5V a 10V, supportando prestazioni di switching efficienti e facile integrazione in vari circuiti.
Quali sono le opzioni di confezionamento e consegna per il MOSFET Vishay SISS26LDN-T1-GE3?
Il MOSFET è confezionato in formato tape & reel (TR), garantendo una spedizione affidabile e un'installazione automatizzata semplice, con attualmente 1768 pezzi disponibili in stock per un acquisto rapido.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SISS26LDN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISS26LDN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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