Prevenzione di contraffazione e difetti
Ispezione visiva e di confezionamento
Verifica delle prestazioni elettriche
Email di servizio:
[email protected]
>
SISS05DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
9300 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 30 V 29.4A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Richiedi preventivo
(Spedisce domani)
*Quantità
Minimo 1
Minimo 1
5.0 / 5.0
- (160 Valutazioni)
SISS05DN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786356
Numero di Parte
SISS05DN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SISS05DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAKInventario
9300 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 30 V 29.4A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
Acquisto e richiesta
Garanzia & Resi
Come Ordinare
Spedizione e Consegna
Assicurazione Qualità
365 - Garanzia di qualità giornaliera - Ogni pezzo completamente garantito.
Rimbordo o cambio entro 90 giorni - Parti difettose? Nessun problema.
Scorte Limitate, Ordina Ora - Ottieni pezzi affidabili senza preoccupazioni.
Spedizione Internazionale & Imballaggio Sicuro
Consegna in tutto il mondo in 3-5 giorni lavorativi
Imballaggio Antistatico ESD al 100%
Monitoraggio in tempo reale per ogni ordine
Pagamento Sicuro e Flessibile
Carta di Credito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Bonifico Bancario (T/T) e altro ancora
Tutti i pagamenti sono criptati per la sicurezza
SISS05DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
29.4A (Ta), 108A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
+16V, -20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4930 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8S
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8S
Numero di prodotto di base
SISS05
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SiSS05DN
Scheda Dati HTML
SISS05DN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SISS05DN-T1-GE3CT
SISS05DN-T1-GE3DKR
SISS05DN-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
DiGi Electronics의 빠른 배송과 뛰어난 품질에 항상 감사드리며, 적극 추천드립니다.
dicembre 02, 2025
가성비 좋은 제품들 덕분에 비용 대비 효율이 정말 높습니다.
dicembre 02, 2025
고객의 목소리를 소중히 들어주는 자세가 인상적입니다.
dicembre 02, 2025
他們的產品設計細心且品質優良，用起來非常放心，售後服務也令人放心。
dicembre 02, 2025
這次購物的配送速度令人驚喜，幾乎是買完隔天就到手了，超乎想像的快速！
dicembre 02, 2025
購入後のフォローもきちんとしていて、満足しています。
dicembre 02, 2025
Their response to my inquiries has always been swift and helpful, reflecting excellent customer care.
dicembre 02, 2025
The materials and overall design are both exceptional.
dicembre 02, 2025
Impressed by their swift response and professional handling of my order.
dicembre 02, 2025
Affordable and reliable—DiGi is my preferred electronics provider.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET P-Channel Vishay SISS05DN-T1-GE3?
Questo MOSFET presenta una tensione drain-source di 30V, una corrente continua di drain di 29,4A e un package Surface-Mount PowerPAK® 1212-8S, rendendolo ideale per applicazioni di potenza ad alta corrente con gestione termica efficiente.
Il MOSFET P-Channel Vishay è compatibile con le tensioni di circuito standard?
Sì, opera con tensioni di gate fino a 16V ed è progettato per applicazioni che richiedono un MOSFET P-channel con una Vds massima di 30V, garantendo ampia compatibilità con le tensioni di alimentazione comuni.
Quali sono i principali vantaggi dell'uso del MOSFET della serie TrenchFET® Gen IV di Vishay?
La serie TrenchFET® Gen IV offre una bassa Rds(on) per ridurre le perdite di conduzione, alta capacità di gestione della corrente e prestazioni termiche eccellenti, migliorando efficienza e affidabilità complessiva del sistema.
È possibile utilizzare il Vishay SISS05DN-T1-GE3 in applicazioni ad alta temperatura?
Sì, questo MOSFET funziona a temperature comprese tra -55°C e 150°C ed ha una elevata capacità di dissipazione di potenza (fino a 65,7W a Tc), adatto per ambienti che richiedono alte temperature operative.
Quali opzioni di supporto e garanzia sono disponibili per l'acquisto del MOSFET P-Channel Vishay?
Questo prodotto è disponibile a magazzino come articolo originale nuovo e, generalmente, Vishay offre supporto attraverso garanzia del produttore. Si consiglia di consultare il proprio distributore o fornitore per dettagli specifici sulla garanzia e sui servizi post-vendita.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SISS05DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISS05DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
