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SISA40DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
6300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 20 V 43.7A (Ta), 162A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SISA40DN-T1-GE3

Panoramica del prodotto

12787671

Numero di Parte

SISA40DN-T1-GE3-DG
SISA40DN-T1-GE3

Descrizione

MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK

Inventario

6300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 20 V 43.7A (Ta), 162A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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  • QTA Prezzo Obiettivo Prezzo Totale
  • 1 1.5986 1.5986
  • 10 1.3636 13.6360
  • 30 1.2166 36.4980
  • 100 1.0652 106.5200
  • 500 0.9976 498.8000
  • 1000 0.9669 966.9000
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SISA40DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche

Categoria Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET® Gen IV

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 20 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 43.7A (Ta), 162A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 1.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V

Vgs (massimo) +12V, -8V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 3415 pF @ 10 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8

Numero di prodotto di base SISA40

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

SISA40DN

Scheda Dati HTML

SISA40DN-T1-GE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SISA40DN-T1-GE3CT
SISA40DN-T1-GE3DKR
SISA40DN-T1-GE3TR

Parti alternative

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
RQ3E100GNTB
Rohm Semiconductor
30100
RQ3E100GNTB-DG
0.1020
MFR Recommended
RQ1C065UNTR
Rohm Semiconductor
5246
RQ1C065UNTR-DG
0.0826
MFR Recommended
RQ3E160ADTB
Rohm Semiconductor
9097
RQ3E160ADTB-DG
0.2218
MFR Recommended
RQ7E055ATTCR
Rohm Semiconductor
1448
RQ7E055ATTCR-DG
0.1589
MFR Recommended

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Fusio***urney
dicembre 02, 2025
5.0
The ongoing support from their team promotes long-term trust and loyalty.
Tran***lTide
dicembre 02, 2025
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Azu***aves
dicembre 02, 2025
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I’ve used similar products elsewhere, but none compare to the durability here.
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Domande frequenti (FAQ)

Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay SISA40DN-T1-GE3?

Il Vishay SISA40DN-T1-GE3 è un MOSFET N-channel ad alte prestazioni con una tensione drain-source di 20V, capace di gestire una corrente continua di drain fino a 43,7A a 25°C e una corrente di impulsi fino a 162A. Presenta un bassissimo Rds On di 1,1 mΩ a 10V di Vgs, rendendolo adatto per applicazioni di commutazione efficiente.

Quali sono gli utilizzi tipici di questo MOSFET PowerPAK® 1212-8?

Questo MOSFET è ideale per la gestione dell’energia in elettronica di consumo, apparecchiature industriali e applicazioni automotive. La sua alta capacità di corrente e il basso Rds On lo rendono perfetto per rettifiche sincrone, commutazione di carico e conversione di potenza.

Il Vishay SISA40DN-T1-GE3 è compatibile con diverse tensioni di circuito e modalità di pilotaggio?

Sì, questo MOSFET supporta una tensione Vgs massima di +12V e -8V, e può operare con tensioni di pilotaggio tra 2,5V e 10V, offrendo flessibilità per diversi schemi di circuito e sistemi di controllo.

Quali sono i vantaggi dell’utilizzo del package PowerPAK® 1212-8 per questo MOSFET?

Il package PowerPAK® 1212-8 garantisce un’eccellente dissipazione termica, un design compatto a montaggio superficiale e una grande capacità di gestione della corrente, assicurando un funzionamento affidabile e una facile integrazione in circuiti densamente popolati.

Il Vishay SISA40DN-T1-GE3 rispetta le normative di sicurezza e ambientali?

Sì, questo MOSFET è conforme alle normative RoHS3, non è soggetto a REACH e presenta un livello di sensibilità all’umidità illimitato, garantendo il rispetto delle normative ambientali e di sicurezza a livello globale.

Assicurazione Qualità (QC)

DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.

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Prevenzione di contraffazione e difetti

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Ispezione visiva e di confezionamento

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