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SISA18ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
160700 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SISA18ADN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787288
Numero di Parte
SISA18ADN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SISA18ADN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8Inventario
160700 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SISA18ADN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
38.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base
SISA18
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SISA18ADN-T1-GE3
Scheda Dati HTML
SISA18ADN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SISA18ADN-T1-GE3CT
SISA18ADN-T1-GE3TR
SISA18ADN-T1-GE3-DG
SISA18ADN-T1-GE3DKR
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5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SISA18ADN-T1-GE3?
Questo MOSFET a canale N presenta una tensione drain-source di 30V, una corrente continua di drain elevata di 38,3A e una bassa Rds On di 7,5 mΩ a 10V, rendendolo adatto per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza. È progettato con tecnologia avanzata TrenchFET® per prestazioni migliorate e perdite di conduzione ridotte.
Il MOSFET Vishay SISA18ADN-T1-GE3 è adatto per design su PCB a montaggio superficiale?
Sì, questo MOSFET è disponibile nel package PowerPAK® 1212-8, appositamente progettato per applicazioni a montaggio superficiale, facilitandone l'integrazione in circuiti compatti e ad alta densità.
Quali applicazioni possono beneficiare dell'uso del MOSFET Vishay SISA18ADN-T1-GE3?
Questo MOSFET è ideale per la gestione di energia in elettronica di consumo, automotive e applicazioni industriali, dove sono richiesti elevati valori di corrente di commutazione, bassa resistenza on e prestazioni affidabili.
Il Vishay SISA18ADN-T1-GE3 è compatibile con tensioni di gate standard?
Sì, può essere pilotato con una Vgs massima di +20V ed è ottimizzato per tensioni di gate tra 4,5V e 10V, rendendolo compatibile con i circuiti di driver di gate comunemente usati nelle soluzioni di commutazione di potenza.
Qual è la garanzia e il supporto disponibili per il MOSFET Vishay SISA18ADN-T1-GE3?
Il prodotto è venduto come nuovo e originale, con oltre 156.000 unità disponibili in magazzino. Per garanzia e supporto tecnico, si prega di contattare il fornitore o il distributore autorizzato per assistenza adeguata e servizio post-vendita.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SISA18ADN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISA18ADN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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