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SISA14DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
44200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SISA14DN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787609
Numero di Parte
SISA14DN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SISA14DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8Inventario
44200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SISA14DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1450 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base
SISA14
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SISA14DN
Scheda Dati HTML
SISA14DN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SISA14DN-T1-GE3DKR
SISA14DN-T1-GE3CT
SISA14DN-T1-GE3TR
SISA14DNT1GE3
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Qual è la funzione principale del MOSFET Vishay SISA14DN-T1-GE3?
Il MOSFET Vishay SISA14DN-T1-GE3 è un MOSFET a canale N progettato per applicazioni di commutazione e gestione dell'energia, capace di gestire fino a 30V e 20A di corrente.
Il Vishay SISA14DN-T1-GE3 è adatto per applicazioni su PCB con montaggio superficiale?
Sì, questo MOSFET presenta un package PowerPAK® 1212-8 ottimizzato per la tecnologia a montaggio superficiale, rendendolo ideale per circuiti stampati compatti.
Quali sono le principali specifiche elettriche di questo MOSFET?
Questo MOSFET ha una tensione Drain-Source (Vdss) di 30V, una corrente continua Drain (Id) di 20A a 25°C e una Rds On massima di 5,1mΩ a Vgs di 10V, garantendo un'efficiente commutazione di potenza.
Il Vishay SISA14DN-T1-GE3 può operare in condizioni di alta temperatura?
Sì, è classificato per operare da -55°C fino a 150°C (TJ), adatto per varie applicazioni di potenza ad alta temperatura.
Quali sono i vantaggi di scegliere questo MOSFET per il tuo progetto in termini di affidabilità e conformità?
Questo MOSFET è conforme alle normative RoHS3, registrato REACH e presenta una capacità elevata di dissipazione di potenza, assicurando un funzionamento affidabile nel rispetto degli standard ambientali.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SISA14DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISA14DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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