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SISA04DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
30854 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SISA04DN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787376
Numero di Parte
SISA04DN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SISA04DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8Inventario
30854 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SISA04DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3595 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base
SISA04
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SiSA04DN
Scheda Dati HTML
SISA04DN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SISA04DN-T1-GE3DKR
SISA04DN-T1-GE3CT
SISA04DN-T1-GE3TR
SISA04DNT1GE3
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
梱包のしっかりさと追跡システムの高度さに感謝しています。
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Vishay SISA04DN-T1-GE3?
Il Vishay SISA04DN-T1-GE3 è un MOSFET di potenza a canale N con una tensione drain-source di 30V e una corrente continua di drain di 40A, progettato per applicazioni di commutazione ad alte prestazioni. Presenta un package PowerPAK® 1212-8, Rds On ridotto e una vasta gamma di temperature operative, da -55°C a 150°C.
Il MOSFET N-channel Vishay è compatibile con circuiti elettronici standard?
Sì, questo MOSFET è adatto per vari circuiti elettronici a montaggio superficiale che richiedono un’efficiente commutazione di energia. La sua tensione di pilotaggio e il basso Rds On lo rendono ideale per applicazioni come il controllo motori, la gestione dell’energia e l’elettronica automobilistica.
Quali sono i vantaggi dell’utilizzo del package PowerPAK® 1212-8 di Vishay?
Il package PowerPAK® 1212-8 offre un’eccellente performance termica, dimensioni compatte e un montaggio superficiale affidabile, favorendo una migliore dissipazione del calore e un’integrazione più semplice nelle progettazioni PCB, migliorando durabilità ed efficienza complessiva del dispositivo.
Come scegliere la tensione di pilotaggio corretta per questo MOSFET?
Il MOSFET funziona efficacemente con tensioni di gate tra 4,5V e 10V, con un Rds On basso a 10V. È importante che il sistema possa fornire almeno 4,5V per prestazioni di commutazione adeguate, considerando 10V come livello ottimale per condizioni di Rds On minimo.
Il Vishay SISA04DN-T1-GE3 è coperto da garanzia o supporto post-vendita?
Sebbene i dettagli della garanzia specifica dipendano dal distributore, Vishay offre generalmente prodotti di alta qualità e supporto affidabile. Si consiglia di verificare con il proprio fornitore le politiche di garanzia e i servizi post-vendita disponibili.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SISA04DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISA04DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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