SISA04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SISA04DN-T1-GE3

Panoramica del prodotto

12787376

Numero di Parte

SISA04DN-T1-GE3-DG
SISA04DN-T1-GE3

Descrizione

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

Inventario

25754 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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Minimo 1

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Disponibile (Tutti i prezzi sono in USD)
  • QTA Prezzo Obiettivo Prezzo Totale
  • 3000 0.4700 1399.5900
  • 6000 0.4400 2637.5500
  • 9000 0.4200 3814.2800
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SISA04DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche

Categoria FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 30 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 40A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.15mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2.2V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V

Vgs (massimo) +20V, -16V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 3595 pF @ 15 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8

Numero di prodotto di base SISA04

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

SiSA04DN

Scheda Dati HTML

SISA04DN-T1-GE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH info available upon request
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SISA04DN-T1-GE3DKR
SISA04DN-T1-GE3CT
SISA04DN-T1-GE3TR
SISA04DNT1GE3
Certificazione DIGI
Blog e Post