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SIS932EDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
6990 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
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SIS932EDN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786793
Numero di Parte
SIS932EDN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIS932EDN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212Inventario
6990 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
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SIS932EDN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1000pF @ 15V
Potenza - Max
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8 Dual
Numero di prodotto di base
SIS932
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIS932EDN
Scheda Dati HTML
SIS932EDN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIS932EDN-T1-GE3TR
SIS932EDN-T1-GE3CT
SIS932EDN-T1-GE3DKR
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Assicurazione Qualità (QC)
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SIS932EDN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIS932EDN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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