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SIS892DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
3100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS892DN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787261
Numero di Parte
SIS892DN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIS892DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8Inventario
3100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS892DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
611 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base
SIS892
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIS892DN
Scheda Dati HTML
SIS892DN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIS892DNT1GE3
SIS892DN-T1-GE3CT
SIS892DN-T1-GE3TR
SIS892DN-T1-GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
我對他們的售後服務感到非常滿意，遇到任何問題都能得到及時的協助與回覆。
dicembre 02, 2025
I appreciate how DiGi Electronics prioritizes customer satisfaction through friendly and professional service.
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET N-channel Vishay SIS892DN-T1-GE3?
Il Vishay SIS892DN-T1-GE3 è un MOSFET N-channel ad alte prestazioni progettato per commutazioni di potenza, in grado di gestire una tensione drain-source di 100V e una corrente continua di 30A con un Rds On basso (fino a 29mΩ a 10V Vgs). Presenta un package PowerPAK® 1212-8 montato su superficie, che garantisce un'efficace gestione termica e un design compatto.
Questo MOSFET Vishay SIS892DN-T1-GE3 è adatto per applicazioni di commutazione a alta corrente?
Sì, questo MOSFET è ideale per applicazioni di commutazione a alta corrente, supportando fino a 30A di corrente continua a 25°C e una dissipazione di potenza fino a 52W a temperatura della piazzola, rendendolo perfetto per alimentatori e circuiti di controllo motore.
Qual è la gamma di temperatura di funzionamento del MOSFET Vishay SIS892DN-T1-GE3?
Il SIS892DN-T1-GE3 funziona in un intervallo di temperatura che va da -55°C a 150°C (TJ), permettendogli di operare in modo affidabile in diversi ambienti industriali e automobilistici.
Il Vishay SIS892DN-T1-GE3 è compatibile con i normali processi di produzione SMT?
Sì, questo MOSFET utilizza il package PowerPAK® 1212-8, compatibile con le tecniche standard di montaggio su superficie, garantendo un'integrazione semplice nel progetto della tua scheda PCB.
Quali standard di conformità e ambientali rispetta il MOSFET Vishay SIS892DN-T1-GE3?
Il MOSFET è conforme RoHS3, assicurando il rispetto delle norme di sicurezza ambientale, ed è classificato con un MSL di livello 1, che indica un livello di sensibilità all'umidità illimitato per un handling e una conservazione affidabili.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIS892DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIS892DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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