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SIS780DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8
148600 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 18A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS780DN-T1-GE3

Panoramica del prodotto

12787447

Numero di Parte

SIS780DN-T1-GE3-DG
SIS780DN-T1-GE3

Descrizione

MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8

Inventario

148600 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 18A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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  • 3000 0.2080 623.8686
  • 6000 0.1932 1159.0896
  • 9000 0.1794 1614.4344
  • 30000 0.1752 5257.2480
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SIS780DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche

Categoria Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tape & Reel (TR)

Serie -

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 30 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 18A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2.3V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 24.5 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 722 pF @ 15 V

Funzione FET Schottky Diode (Body)

Dissipazione di potenza (max) 27.7W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8

Numero di prodotto di base SIS780

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

SIS780DN

Scheda Dati HTML

SIS780DN-T1-GE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIS780DN-T1-GE3-DG
SIS780DN-T1-GE3CT
SIS780DN-T1-GE3DKR
SIS780DN-T1-GE3TR

Parti alternative

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
RQ1E070RPTR
Rohm Semiconductor
38300
RQ1E070RPTR-DG
0.3493
MFR Recommended
RQ3E120BNTB
Rohm Semiconductor
3872
RQ3E120BNTB-DG
0.0785
MFR Recommended
RQ3E100ATTB
Rohm Semiconductor
4300
RQ3E100ATTB-DG
0.1346
MFR Recommended
RQ1E075XNTCR
Rohm Semiconductor
27886
RQ1E075XNTCR-DG
0.2513
MFR Recommended
RQ3E100BNTB
Rohm Semiconductor
121853
RQ3E100BNTB-DG
0.0623
MFR Recommended

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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)

Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-Channel Vishay SIS780DN-T1-GE3?

Il Vishay SIS780DN-T1-GE3 è un MOSFET N-Channel a montaggio superficie con una tensione massima drain-source di 30V, corrente continua di 18A e una resistenza Rds On bassa di 13,5mΩ a 15A e 10V. Include anche un diodo Schottky per migliori prestazioni e utilizza il package PowerPAK® 1212-8 per una gestione termica efficiente.

Questo MOSFET Vishay SIS780DN-T1-GE3 è adatto per applicazioni di commutazione ad alta corrente?

Sì, questo MOSFET è progettato per applicazioni di commutazione ad alta corrente, con una corrente continua di drain di 18A a 25°C e una capacità di dissipazione di potenza fino a 27,7W, rendendolo ideale per la gestione dell’energia e le applicazioni di commutazione che richiedono un’efficiente gestione di alte correnti.

Qual è l’intervallo di temperatura di funzionamento di questo MOSFET e può essere utilizzato in ambienti industriali?

Il Vishay SIS780DN-T1-GE3 funziona in un intervallo di temperatura che va da -55°C a 150°C, rendendolo adatto a una vasta gamma di applicazioni industriali e automotive dove è richiesta una ampia tolleranza termica.

Quanto è compatibile questo MOSFET con diverse tensioni di gate e quali tensioni di pilotaggio sono raccomandate?

Questo MOSFET supporta tensioni di gate massime di ±20V, con una tensione di pilotaggio raccomandata tra 4,5V e 10V per ottenere le migliori prestazioni di Rds On, garantendo compatibilità con circuiti di pilotaggio della gate standard.

Quale tipo di confezionamento utilizza questo MOSFET e come influisce sul montaggio e sull’assemblaggio?

Il Vishay SIS780DN-T1-GE3 è confezionato in Tape & Reel (TR) all’interno di un case PowerPAK® 1212-8, facilitando i processi di assemblaggio automatico a montaggio superficie e assicurando un montaggio affidabile ed efficiente sui circuiti stampati (PCB).

Assicurazione Qualità (QC)

DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.

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