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SIS606BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
1435 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS606BDN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787380
Numero di Parte
SIS606BDN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIS606BDN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAKInventario
1435 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS606BDN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1470 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base
SIS606
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIS606BDN
Scheda Dati HTML
SIS606BDN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIS606BDN-T1-GE3CT
SIS606BDN-T1-GE3TR
SIS606BDN-T1-GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali e le specifiche del MOSFET N-Channel Vishay SIS606BDN-T1-GE3?
Questo MOSFET dispone di una tensione drain-source di 100V, una corrente di drain continua di 9,4A a 25°C e una capacità di corrente pulsata elevata di 35,3A. È progettato con un package PowerPAK® 1212-8, offre un basso Rds On (17,4mΩ a 10A e 10V) ed è ideale per applicazioni a montaggio superficiale con ottime prestazioni termiche.
Il MOSFET Vishay SIS606BDN-T1-GE3 è compatibile con i componenti elettronici standard?
Sì, questo MOSFET N-channel è compatibile con tensioni di pilotaggio comuni (da 7,5V a 10V) e può essere integrato in diversi circuiti di gestione dell'energia e commutazione, grazie al suo package PowerPAK® di livello industriale e alle caratteristiche elettriche.
Quali sono gli utilizzi e le applicazioni tipiche di questo MOSFET ad alta corrente?
Questo MOSFET è ideale per commutazione di potenza, controllo motori, convertitori DC-DC e altre applicazioni che richiedono una commutazione efficiente ad alta corrente, con basse perdite di conduzione e prestazioni termiche affidabili.
Quali sono gli standard ambientali e di sicurezza di questo MOSFET?
Il Vishay SIS606BDN-T1-GE3 è conforme agli standard RoHS 3, garantendo l'assenza di sostanze pericolose, e presenta un livello di sensibilità all’umidità (MSL) 1, assicurando elevata affidabilità in diverse condizioni operative.
Come posso acquistare e ricevere supporto post-vendita per il MOSFET Vishay SIS606BDN-T1-GE3?
Questo prodotto è disponibile nel nostro magazzino con stock nuovo e originale. È possibile acquistarlo tramite distributori autorizzati, e il nostro team di assistenza clienti è disponibile per supportare in questioni tecniche e garanzie sul prodotto.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIS606BDN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIS606BDN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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