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SIS472ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
59400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 24A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS472ADN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787424
Numero di Parte
SIS472ADN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIS472ADN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8Inventario
59400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 24A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS472ADN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1515 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
28W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base
SIS472
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIS472ADN
Scheda Dati HTML
SIS472ADN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay N-Channel SIS472ADN-T1-GE3?
Questo MOSFET supporta una tensione drain-source di 30V, una corrente continua di drain di 24A e presenta un valore di Rds On molto basso di 8,5 mΩ a 10V Vgs, rendendolo adatto per applicazioni di alimentazione ad alta efficienza.
Il MOSFET Vishay SIS472ADN-T1-GE3 è compatibile con design di PCB SMD?
Sì, questo MOSFET è disponibile in una confezione PowerPAK® 1212-8 per montaggio superficiale, progettata per un'installazione facile e prestazioni affidabili nelle applicazioni di tecnologia a montaggio superficiale (SMT).
Quali sono gli usi tipici del MOSFET Vishay SIS472ADN-T1-GE3?
Questo MOSFET N-Channel è ideale per alimentatori switching, controllo motori e altre applicazioni di commutazione ad alta corrente e alta velocità in dispositivi elettronici.
Come si comporta il Vishay SIS472ADN-T1-GE3 in condizioni di variazione di temperatura?
Funziona efficacemente in un intervallo di temperatura da -55°C a 150°C, garantendo affidabilità in diverse condizioni ambientali.
Quali opzioni di supporto e garanzia sono disponibili per l'acquisto del MOSFET Vishay SIS472ADN-T1-GE3?
Questo prodotto è disponibile in stock con unità nuove e originali, solitamente con supporto del produttore; si consiglia di verificare con il proprio fornitore le specifiche dettagliate di garanzia e assistenza post-vendita.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIS472ADN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIS472ADN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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