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SIS407ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
8164 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 20 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS407ADN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786920
Numero di Parte
SIS407ADN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIS407ADN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8Inventario
8164 Pz Nuovo Originale Disponibile
P-Channel 20 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS407ADN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
168 nC @ 8 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5875 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base
SIS407
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIS407ADN
Scheda Dati HTML
SIS407ADN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIS407ADN-T1-GE3DKR
SIS407ADN-T1-GE3CT
SIS407ADN-T1-GE3TR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
我對他們的產品品質非常信賴，已經是回購多次的忠實顧客。
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET P-Channel Vishay SIS407ADN-T1-GE3?
Questo MOSFET offre una tensione drain-source di 20V, una corrente di drain continua di 18A, una bassa resistenza Rds On (9mΩ a 15A, Vgs di 4,5V) ed è progettato per applicazioni a montaggio superficiale con package PowerPAK® 1212-8, ideale per la gestione dell'energia ad alta efficienza.
Il MOSFET Vishay SIS407ADN-T1-GE3 è adatto a ambienti ad alta temperatura?
Sì, questo MOSFET P-Channel funziona in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e 150°C, rendendolo adatto a diverse applicazioni elettroniche ad alta temperatura mantenendo prestazioni affidabili.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET PowerPAK® 1212-8?
È ideale per l'uso in commutazione di potenza, commutazione di carico, convertitori DC-DC e altri circuiti di gestione dell'energia ad alta efficienza che richiedono una bassa resistenza Rds On e alta capacità di gestione della corrente.
Il Vishay SIS407ADN-T1-GE3 è compatibile con i progettazione circuitale moderne?
Sì, questo MOSFET funziona con un range di tensione di pilotaggio tra 1,8V e 4,5V, rendendolo compatibile con controller logici a basso voltaggio di uso comune nei dispositivi elettronici contemporanei.
Qual è la disponibilità commerciale e l'affidabilità di questo MOSFET?
Il Vishay SIS407ADN-T1-GE3 è disponibile in grandi quantità, conforme alle normative RoHS3 e ha un livello di sensibilità all'umidità di livello 1, garantendo alta affidabilità e facilità di approvvigionamento per progetti elettronici professionali.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIS407ADN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIS407ADN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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