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SIS406DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
105300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS406DN-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787248
Numero di Parte
SIS406DN-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIS406DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8Inventario
105300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS406DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1100 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base
SIS406
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIS406DN
Scheda Dati HTML
SIS406DN-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIS406DNT1GE3
SIS406DN-T1-GE3CT
SIS406DN-T1-GE3DKR
SIS406DN-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
제품이 튼튼하고 견고해서 오랜 사용에도 끄떡없어요. 배송도 빠르고 깔끔하게 왔습니다.
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET N-Channel Vishay SIS406DN-T1-GE3?
Il Vishay SIS406DN-T1-GE3 è un MOSFET N-Channel di potenza da 30V e 9A, con una resistenza Rds On ridotta di 11 milliohm a 12A e 10V, ideale per applicazioni di alimentazione ad alta efficienza. Utilizza la tecnologia TrenchFET® per minori perdite di conduzione ed è dotato di un package Surface Mount PowerPAK® 1212-8, che ne facilita l'installazione.
Il MOSFET Vishay SIS406DN-T1-GE3 è compatibile con i circuiti di alimentazione standard?
Sì, questo MOSFET è progettato per essere utilizzato in varie applicazioni di commutazione di potenza ed è compatibile con tensioni di circuito fino a 30V e correnti fino a 9A, rendendolo adatto per elettronica professionale e progettazioni di alimentatori.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET PowerPAK1212-8?
Questo MOSFET N-Channel è ideale per la gestione dell'energia, il controllo dei motori e gli alimentatori switching, dove è richiesta una commutazione ad alte prestazioni con bassa perdita di conduzione.
Quali sono le tensioni consigliate per il pilotaggio della porta di questo MOSFET?
Il dispositivo funziona al meglio con tensioni di gate tra 4,5V e 10V, garantendo una bassa Rds On e alte prestazioni di commutazione in diverse configurazioni di circuito.
Vishay offre garanzie e supporto per questo MOSFET?
Sì, Vishay fornisce supporto affidabile e garanzie sui propri prodotti. Questo MOSFET è disponibile in magazzino, conforme alle normative RoHS e corredato di specifiche dettagliate per un'installazione e risoluzione dei problemi precise.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIS406DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIS406DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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