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SIRA64DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
55100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 60A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIRA64DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787189
Numero di Parte
SIRA64DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIRA64DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Inventario
55100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 60A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIRA64DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3420 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
27.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIRA64
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIRA64DP
Scheda Dati HTML
SIRA64DP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIRA64DP-T1-GE3-DG
SIRA64DP-T1-GE3CT
SIRA64DP-T1-GE3TR
SIRA64DP-T1-GE3DKR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET N-channel Vishay SIRA64DP-T1-GE3?
Il Vishay SIRA64DP-T1-GE3 è un MOSFET N-channel ad alte prestazioni con una tensione drain-sorgente di 30 V, una corrente continua di drain di 60 A e una bassa Rds on. Utilizza la tecnologia TrenchFET® Gen IV per un'efficiente commutazione di potenza ed è adatto per applicazioni a montaggio superficiale.
Il MOSFET Vishay SIRA64DP-T1-GE3 è compatibile con diversi dispositivi elettronici?
Sì, questo MOSFET è compatibile con un’ampia gamma di dispositivi elettronici che richiedono commutazione ad alta corrente e gestione dell’energia, grazie al suo design robusto e alla confezione surface mount PowerPAK® SO-8.
Quali sono le applicazioni tipiche del MOSFET N-channel SIRA64DP-T1-GE3?
Questo MOSFET è ideale per alimentatori, controllo motori, convertitori DC-DC e altre applicazioni di commutazione ad alta corrente, dove è fondamentale un’efficiente e affidabile gestione dell’energia.
Quali sono i vantaggi di utilizzare il MOSFET Vishay SIRA64DP-T1-GE3 rispetto ad altri componenti simili?
Offre una bassa Rds on per ridurre al minimo le perdite di conduzione, un'elevata capacità di dissipazione di potenza, un ampio intervallo di temperature operative e la conformità alle norme RoHS3, rendendolo una scelta affidabile per applicazioni di potenza esigenti.
Il Vishay SIRA64DP-T1-GE3 può essere fornito con garanzia o supporto post-vendita?
In quanto prodotto originale nuovo, è coperto dalle garanzie standard del produttore ed è disponibile per supporto tecnico. Le politiche di garanzia dettagliate dipendono dal distributore o dal rivenditore presso cui viene acquistato.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIRA64DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIRA64DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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