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SIRA62DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
9200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 51.4A (Ta), 80A (Tc) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIRA62DP-T1-RE3

Panoramica del prodotto

12787041

Numero di Parte

SIRA62DP-T1-RE3-DG
SIRA62DP-T1-RE3

Descrizione

MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK

Inventario

9200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 51.4A (Ta), 80A (Tc) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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  • QTA Prezzo Obiettivo Prezzo Totale
  • 1 0.5943 0.5943
  • 10 0.5302 5.3020
  • 30 0.4989 14.9670
  • 100 0.4675 46.7500
  • 500 0.4476 223.8000
  • 1000 0.4376 437.6000
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SIRA62DP-T1-RE3 Specifiche Tecniche

Categoria Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore Vishay

Imballaggio Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET® Gen IV

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 30 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 51.4A (Ta), 80A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2.2V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V

Vgs (massimo) +16V, -12V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 4460 pF @ 15 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8

Numero di prodotto di base SIRA62

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

SIRA62DP

Scheda Dati HTML

SIRA62DP-T1-RE3-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIRA62DP-T1-RE3CT
SIRA62DP-T1-RE3TR
2266-SIRA62DP-T1-RE3TR
SIRA62DP-T1-RE3DKR

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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)

Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Vishay SIRA62DP-T1-RE3?

Il Vishay SIRA62DP-T1-RE3 è un MOSFET di potenza a canale N con una tensione drain-source di 30 V, in grado di gestire correnti di drenaggio continue fino a 51,4 A (a temperatura ambiente) e 80 A (a livello del case). È caratterizzato da una bassa Rds On (1,2 mΩ), un’elevata dissipazione di potenza ed è progettato per applicazioni di montaggio superficiale con package PowerPAK® SO-8, rendendolo adatto a circuiti di commutazione di potenza ad alte prestazioni.

Il MOSFET Vishay SIRA62DP-T1-RE3 è compatibile con una tensione di pilotaggio del gate di 10 V?

Sì, questo MOSFET può essere controllato completamente a una tensione del gate di 10 V, con una tensione massima tra gate e source di +16 V, garantendo una bassa Rds On e prestazioni ottimali. È adatto per applicazioni che richiedono tensioni di pilotaggio del gate di 4,5 V o 10 V.

Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET a canale N?

Questo MOSFET è ideale per la gestione dell’energia, il controllo di motori, convertitori DC-DC e commutazione di carichi in vari dispositivi elettronici grazie alla sua elevata capacità di corrente, bassa Rds On e robusta performance termica.

Quali sono i vantaggi dell’utilizzo del package PowerPAK® SO-8 per questo MOSFET?

Il package PowerPAK® SO-8 offre un’eccellente dissipazione termica, dimensioni compatte e un montaggio affidabile su PCB a superficie. Permette una dissipazione del calore efficiente e una gestione di alte correnti in uno spazio ridotto, ideale per le moderne progettazioni elettroniche.

Il Vishay SIRA62DP-T1-RE3 rispetta gli standard ambientali e di sicurezza?

Sì, questo MOSFET è conforme allo standard RoHS3, non intaccato da REACH e presenta un livello di sensibilità all’umidità (MSL) pari a 1, rendendolo sicuro dal punto di vista ambientale e adatto per applicazioni ad alta affidabilità in diversi settori.

Assicurazione Qualità (QC)

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