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SIRA18DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
35400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIRA18DP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786491
Numero di Parte
SIRA18DP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIRA18DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8Inventario
35400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIRA18DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIRA18
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SIRA18DP
Scheda Dati HTML
SIRA18DP-T1-GE3-DG
Disegni del prodotto
PowerPak SO-8 Drawing
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIRA18DPT1GE3
SIRA18DP-T1-GE3TR
SIRA18DP-T1-GE3DKR
2266-SIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3CT
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-channel Vishay SIRA18DP-T1-GE3?
Il SIRA18DP-T1-GE3 è un MOSFET N-channel ad alte prestazioni con una tensione di drain-source di 30V e una corrente continua di drain di 33A, caratterizzato da bassa resistiva Rds On e confezione a montaggio superficiale per una gestione efficiente dell'energia.
Questo MOSFET Vishay SIRA18DP-T1-GE3 è adatto per applicazioni di commutazione di potenza?
Sì, questo MOSFET è progettato per la commutazione di potenza, offrendo una bassa Rds On, alta capacità di corrente e eccellenti prestazioni termiche, rendendolo ideale per diverse applicazioni di gestione dell'energia e controllo motore.
Quali sono i requisiti di compatibilità e tensione di pilotaggio per questo MOSFET?
Il MOSFET può essere pilotato con una tensione Vgs massima di 10V, con una tensione di soglia tipica di 2,4V, ed è compatibile con le tensioni di gate standard utilizzate nei circuiti di potenza.
Come si confronta il Vishay SIRA18DP-T1-GE3 con altri MOSFET in termini di prestazioni termiche?
Presenta una dissipazione di potenza massima di 3,3W a temperatura ambiente e fino a 14,7W a temperatura della scatola, con un ampio intervallo di temperature operative da -55°C a 150°C, garantendo affidabilità anche in ambienti gravosi.
Quali opzioni sono disponibili se devo sostituire o aggiornare questo MOSFET nel mio progetto?
Questo MOSFET è conforme alle normative RoHS3 e offre diversi modelli sostitutivi come RS3E095BNGZETB e RXH070N03TB1, offrendo flessibilità per diverse esigenze di progettazione e sostituzione.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIRA18DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIRA18DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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