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SIR882ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
30200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR882ADP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12786705
Numero di Parte
SIR882ADP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR882ADP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8Inventario
30200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR882ADP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.8V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1975 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR882
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SiR882ADP
Scheda Dati HTML
SIR882ADP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR882ADP-T1-GE3CT
SIR882ADPT1GE3
SIR882ADP-T1-GE3DKR
SIR882ADP-T1-GE3TR
Reviews
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-Channel Vishay SIR882ADP-T1-GE3?
Il Vishay SIR882ADP-T1-GE3 è un MOSFET a montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 con una tensione drain-sorgente di 100V e una corrente di drain continua di 60A, ideale per applicazioni ad alta potenza con Rds On basso e elevata efficienza termica.
Quali sono gli utilizzi e le applicazioni tipiche di questo MOSFET PowerPAK®?
Questo MOSFET N-Channel è ideale per la gestione dell'energia, alimentatori switching, controllo dei motori e circuiti di commutazione ad alta corrente, dove sono essenziali efficienza e affidabilità.
Il Vishay SIR882ADP-T1-GE3 è compatibile con tensioni di pilotaggio della porta di 4,5V e 10V?
Sì, è progettato per funzionare con una tensione massima di pilotaggio della porta di 10V e può essere alimentato anche a tensioni più basse come 4,5V, rendendolo versatile per diversi circuiti di pilotaggio.
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo del package PowerPAK® SO-8 per questo MOSFET?
Il package PowerPAK® SO-8 offre prestazioni termiche eccellenti, dimensioni compatte, facilità di montaggio superficiale e contatti elettrici affidabili, migliorando la durabilità e l'efficienza complessiva del dispositivo.
Il Vishay SIR882ADP-T1-GE3 soddisfa normative ambientali e regolamentari?
Sì, questo MOSFET è conforme alle norme ROHS3, non Influenzato da REACH e ha un livello di sensibilità all'umidità di 1, garantendo il rispetto degli standard ambientali e di sicurezza internazionali.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR882ADP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR882ADP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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