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SIR826ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
6400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 80 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR826ADP-T1-GE3
Panoramica del prodotto
12787405
Numero di Parte
SIR826ADP-T1-GE3-DGProduttore
Vishay Siliconix
SIR826ADP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Inventario
6400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 80 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR826ADP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.8V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2800 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR826
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SiR826ADP
Scheda Dati HTML
SIR826ADP-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR826ADPT1GE3
SIR826ADP-T1-GE3DKR
SIR826ADP-T1-GE3CT
SIR826ADP-T1-GE3TR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-Channel Vishay SIR826ADP-T1-GE3?
Il Vishay SIR826ADP-T1-GE3 è un MOSFET N-Channel con una tensione di pilotaggio di 80V, una corrente continua di drenaggio di 60A e una bassa Rds On di 5,5 mΩ. È dotato di confezione Surface Mount PowerPAK\® SO-8 ed è adatto a applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza.
Il Vishay SIR826ADP-T1-GE3 è compatibile con le tensioni di pilotaggio del gate più comuni?
Sì, questo MOSFET è compatibile con tensioni di pilotaggio del gate di 4,5V e 10V, rendendolo adatto a vari circuiti di gestione dell'energia e offrendo una bassa resistenza on a queste tensioni.
Quali sono le applicazioni tipiche del MOSFET Vishay SIR826ADP-T1-GE3?
Questo MOSFET viene comunemente utilizzato in circuiti di alimentazione, controllo motori e commutazione di carichi, dove è essenziale un'elevata capacità di corrente e una dissipazione di potenza efficiente.
Il Vishay SIR826ADP-T1-GE3 rispetta le normative RoHS e che tipo di confezione ha?
Sì, è conforme alla normativa RoHS3, garantendo una produzione ecocompatibile. È disponibile in confezione Tape & Reel (TR) con case PowerPAK\® SO-8 per montaggio superficiale, adatta all'assemblaggio automatizzato.
Quali considerazioni devo avere quando integro il Vishay SIR826ADP-T1-GE3 nel mio circuito?
Assicurati che la tensione di pilotaggio sia compresa tra 4,5V e 10V e verifica che la fascia di temperatura operativa, da -55°C a 150°C, sia adatta alla tua applicazione. È importante considerare un adeguato dissipatore di calore per una dissipazione di potenza ottimale.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
SIR826ADP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR826ADP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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